[发明专利]单片式流体传感器系统及其制造方法在审
| 申请号: | 202310053458.2 | 申请日: | 2023-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN116577297A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | C·科瓦奇;E·阿绍尔;U·巴尔特;T·格里勒;T·奥斯特曼;G·斯托克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/3504 | 分类号: | G01N21/3504;G01N21/3577;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
| 地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单片 流体 传感器 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种单片式流体传感器系统(100),包括:
传感器构件(110),具有在传感器基板(115)的第一主表面区域上的热辐射发射器(111)、滤光器结构(112)、波导结构(113)和热辐射检测器(114),
覆盖基板(120),其中凹部(122)布置在所述覆盖基板(120)的第一主表面区域中,并且贯穿式开口(126)布置在第一主表面区域中的所述凹部(122)与所述覆盖基板(120)的第二主表面区域之间,其中所述覆盖基板(120)的第一主表面区域接合到传感器基板(115、105)的第一主表面区域,并且其中所述传感器构件(110)布置在所述覆盖基板(120)的所述凹部(122)下方,
参考传感器构件(130),具有在参考传感器基板(135)的第一主表面区域上的参考热辐射发射器(131)、参考滤光器结构(132)、参考波导结构(133)和参考热辐射检测器(134),以及
参考覆盖基板(140),其中参考凹部(142)布置在所述参考覆盖基板(140)的第一主表面区域中,其中所述参考覆盖基板(140)的第一主表面区域接合到所述参考传感器基板(135)的第一主表面区域,并且其中所述参考覆盖基板(140)的第一主表面区域中的所述参考凹部(142)形成用于所述参考传感器构件(130)的密封腔(144)。
2.根据权利要求1所述的单片式流体传感器系统(100),其中所述传感器构件(110)的元件和所述参考传感器构件(130)的参考元件具有相同的结构设置。
3.根据权利要求1或2所述的单片式流体传感器系统(100),还包括:
底部基板(150、155),其中所述底部基板(150、155)的第一主表面区域接合到所述传感器基板(115)的第二主表面区域,以及
参考底部基板(160、155),其中所述参考底部基板(160、155)的第一主表面区域接合到所述参考传感器基板(135)的第二主表面区域。
4.根据前述权利要求中任一项所述的单片式流体传感器系统(100),其中所述传感器基板(115)和所述参考传感器基板(135)被布置为形成公共系统基板(105),其中所述覆盖基板(120)和所述参考覆盖基板(140)被布置为形成公共覆盖基板(145),并且其中所述底部基板(150)和所述参考底部基板(160)被布置为形成公共底部基板(155)。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的单片式流体传感器系统(100),其中所述传感器基板(115)和所述参考传感器基板(135)被布置为形成单独的系统基板,其中所述覆盖基板(120)和所述参考覆盖基板(140)被布置为形成单独的覆盖基板,并且其中所述底部基板(150)和所述参考底部基板(160)被布置为形成单独的底部基板。
6.根据权利要求1或2所述的单片式流体传感器系统(100),还包括:
底部基板(155),
其中所述参考覆盖基板(140)的第二主表面区域接合到所述传感器基板(115)的第二主表面区域,并且其中所述底部基板(155)的第一主表面区域接合到所述参考传感器基板(135)的第二主表面区域。
7.根据权利要求1或2所述的单片式流体传感器系统(100),还包括:
间隔物基板(155),其中所述间隔物基板(155)的第一主表面区域接合到所述传感器基板(115)的第二主表面区域,并且
其中所述间隔物基板(155)的第二主表面区域接合到所述参考传感器基板(135)的第二主表面区域。
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