[发明专利]一种应用于高频电路的ESD保护电路在审
| 申请号： | 202310047453.9 | 申请日： | 2023-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN116073348A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张皓然;张涛;盛炜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/02 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 高频 电路 esd 保护 | ||
1.一种应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，包括正向静电放电通路、负向静电放电通路以及谐波双向放电通路；
所述正向静电放电通路用于当电路发生正向静电漏电，形成对电源端泄放的正向通路；
所述负向静电放电通路用于当电路发生负向静电漏电，形成对地端泄放的负向通路；
所述谐波双向放电通路用于当电路发生正向跳变或负向跳变的高频谐波漏电，形成对地的消耗通路。
2.如权利要求1所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述应用于高频电路的ESD保护电路还包括基于所述谐波双向放电通路的第二泄放通路，增强对高频谐波漏电的泄放能力。
3.如权利要求2所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述正向静电放电通路由四只版图上紧密排列的二极管构成，其正极均连接主信号通路，负极均连接内部参考地。
4.如权利要求2所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述负向静电放电通路由四只版图上紧密排列的大尺寸二极管构成，其负极均连接主信号通路，正极均连接内部参考地。
5.如权利要求2所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述谐波双向放电通路包括NMOS管M0、M1和电阻R0，等效大电容接法的NMOS管M0的栅端连接所述正向静电放电通路中四只二极管的正极，源端和漏端同时连接电阻R0的第一端，电阻R0的第二端连接内部参考地；
NMOS管M1的栅端连接电阻R0的第一端，源端连接电阻R0的第二端，漏端连接NMOS管M0的栅端。
6.如权利要求5所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述第二泄放通路包括NMOS管M2和M3；NMOS管M3的栅端连接电阻R0的第一端，源端连接电阻R0的第二端，漏端连接NMOS管M2的源端，NMOS管M2的栅端连接外界控制信号CTRL，漏端连接NMOS管M0的栅端。
7.如权利要求6所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述应用于高频电路的ESD保护电路还包括保护电阻R1、主通路保护二极管D4、等效小电容接法的NMOS管M4；所述保护电阻R1的一端连接NMOS管M2的漏端，另一端同时连接主通路保护二极管D4的正极和NMOS管M4的漏端；NMOS管M4的栅端和源端均连接电阻R0的第二端；主通路保护二极管D4的负极连接所述负向静电放电通路中四只二极管的负极。
8.如权利要求1所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述正向静电漏电包括焊盘到待保护晶圆电路的正向静电漏电；所述负向静电漏电包括焊盘到待保护晶圆电路的负向静电漏电；所述高频谐波漏电包括焊盘到待保护晶圆电路的信号传递谐波或环境干扰噪声或电源串扰谐波。
9.如权利要求1所述的应用于高频电路的ESD保护电路，其特征在于，所述应用于高频电路的ESD保护电路应用场合的供电电压范围为2.7V～5.5V。
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