[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成第一芯片，所述第一芯片包括第一键合层，所述第一键合层包括第一介质层和嵌设于所述第一介质层内的第一键合垫，所述第一键合垫具有第一接触面，所述第一介质层露出所述第一接触面；

形成第二芯片，所述第二芯片包括第二键合层，所述第二键合层包括第二介质层和嵌设于所述第二介质层内的第二键合垫，所述第一键合垫具有第二接触面，所述第二介质层露出所述第二接触面；

形成第三键合层，所述第三键合层包括第三介质层和嵌设于所述第三介质层内的第三键合垫，所述第三键合垫具有相对分布的第一子接触面和第二子接触面，所述第三介质层露出所述第一子接触面和所述第二子接触面；

所述第一键合垫和所述第二键合垫分别键合于所述第三键合垫的两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，

所述第一键合垫、所述第二键合垫、所述第三键合垫的数量均为至少一个，且每个所述第三键合垫的两侧分别键合一个所述第一键合垫和一个所述第二键合垫；

所述第一接触面与所述第一子接触面的接触面至少部分交叠于所述第一子接触面，所述第二接触面与所述第二子接触面的接触面至少部分交叠于所述第二子接触面；

和/或，所述第一接触面与所述第一子接触面的接触面至少部分交叠于所述第一接触面，所述第二接触面与所述第二子接触面的接触面至少部分交叠于所述第二接触面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，

所述第一接触面与所述第一子接触面的接触面至少部分交叠于所述第一子接触面，所述第二接触面与所述第二子接触面的接触面至少部分交叠于所述第二子接触面，且所述第一接触面与所述第一子接触面的接触面至少部分交叠于所述第一接触面，所述第二接触面与所述第二子接触面的接触面至少部分交叠于所述第二接触面时，形成所述第一芯片，所述方法包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上形成所述第一介质层，所述第一介质层为扩散阻挡层；

在所述第一介质层内形成至少一个第一通孔；

在所述第一通孔内形成第一导电层；

去除部分所述第一导电层，以使所述第一导电层与所述第一介质层的表面齐平，以形成所述第一接触面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，

所述第一键合垫与所述第三键合垫键合，所述方法包括：

提供第三衬底，在所述第三衬底上形成所述第三介质层，所述第三介质层为扩散阻挡层；

在所述第三介质层内形成至少一个第三通孔；

在所述第三通孔内形成第三导电层；

去除部分所述第三导电层，以使所述第三导电层与所述第三介质层的表面齐平，以形成所述第一子接触面；

通过所述第一接触面和所述第一子接触面键合所述第一键合垫和所述第三键合垫。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，

所述第二键合垫和所述第三键合垫键合，所述方法包括：

提供第二衬底，在所述第二衬底上形成所述第二介质层，所述第二介质层为扩散阻挡层；

在所述第二介质层内形成至少一个第二通孔；

在所述第二通孔内形成第二导电层；

去除位于所述第二介质层表面之上的所述第二导电层，以使所述第二导电层与所述第二介质层齐平，以形成所述第二接触面；

去除所述第三衬底，以使暴露出所述第三导电层，形成所述第二子接触面；

通过所述第二接触面和所述第二子接触面键合所述第二键合垫和所述第三键合垫。