[发明专利]一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法

权利要求书

1.一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：

（a）将等离子切割后的滤波器晶圆芯片的正面朝上放置并在 AOI 检测设备的真空吸盘上固定；

（b）开启AOI 检测设备的光学镜头，对滤波器晶圆芯片进行光学影像对位，扫描出单颗目标芯片的标准形貌图以及晶圆芯片整体的芯片分布图；

（c）对步骤（b）中扫描出的单颗目标芯片的标准形貌图进行不良缺陷图层设定；

（d）对步骤（c）中设定的不良缺陷图层进行参数设定和算法设定；

（e）对设置好参数和算法的待测晶圆芯片进行扫描并核查最终扫描结果的准确性；

 （f）输出目标晶圆芯片的良率结果和不良缺陷的分布图。

2.根据权利要求1所述的一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法，其特征在于，步骤（a）中，滤波器晶圆芯片为晶圆级薄膜封装芯片，晶圆尺寸为 4 英寸、6 英寸、8 英寸中的任一种， 晶圆芯片表面由滤波器芯片和参考芯片组成，横纵相邻参考芯片之间分布的滤波器芯片数量分别为 10~20个和20~30 个，且参考芯片表面带有特征图案。

3.根据权利要求2所述的一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法，其特征在于，滤波器晶圆芯片包含功能区域与切割道区域，其中功能区域表面包括叉指电极、金属电极，苯并环丁烯、导电凸球，导电凸球材质为锡且数量为 5~12个，切割道区域由硅组成，宽度为 3~12μm，芯片功能区最外层由氮化硅薄膜密封，厚度为1~10μm，芯片面积为 0.1~2mm²。

4.根据权利要求1所述的一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法，其特征在于，步骤（b）中的设备光源为 LED光，光照形式为直射光，光学镜头距离晶圆表面的距离为5~20mm，采用的放大倍数为 5X或10X中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法，其特征在于，步骤（b）中扫描晶圆芯片整体的芯片分布图和标准形貌图的详细步骤主要为：先对芯片进行横纵边界确认，横纵边界距离滤波器切割道边缘 5~20μm，再通过芯片功能区导电凸球及边缘轮廓识别芯片 表面特征扫描出晶圆整体的芯片分布图，最后通过扫描滤波器晶圆芯片不同位置的 5~30 颗滤波器芯片，经过图像处理和算法计算，合成确定出单颗芯片的标准形貌图，标准形貌图中的切割道区域灰阶值 为100~150，导电凸球表面灰阶值为5~20，叉指电极灰阶值为80~120，金属电极灰阶值为150~200。

6.根据权利要求1所述的一种等离子切割的滤波器芯片AOI不良检测方法，其特征在于，步骤（c）中不良缺陷图层的具体设定步骤和检测目的为：首先在距离标准形貌图切割道10~20μm 的位置设置未切割矩形图层以检测切割道桥连，未切割矩形图层长度等于切割道边缘长度，宽度为 3~5μ m，其次在标准形貌图切割道四周边缘位置设置偏移矩形图层以检测notching和切痕偏移，偏移矩形图层长度等于切割道边缘长度，宽度为 3~5μm；对于功能区域，首先设置椭圆形凸球表面图层覆盖导电凸球以检测凸球缺失，凸球图层数量与凸球数量一致；其次再设置叉指表面矩形图层覆盖叉指电极以检测叉指损伤，叉指表面矩形图层数量与叉指电极数量保持一致，最后设置覆盖整个功能区域的颗粒物矩形图层以检测颗粒物沾污。