[发明专利]太阳电池及其制备方法和用电设备

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面；

第一钝化层，所述第一钝化层设置在至少部分所述第一表面上；

第二钝化层，所述第二钝化层设置在至少部分所述第二表面上；

N型掺杂微晶硅层，所述N型掺杂微晶硅层设置在所述第一钝化层的远离所述半导体基底的至少部分表面上；

P型掺杂微晶硅层，所述P型掺杂微晶硅层设置在所述第二钝化层的远离所述半导体基底的至少部分表面上；

第一电极，所述第一电极与所述N型掺杂微晶硅层电接触；

第二电极，所述第二电极与所述P型掺杂微晶硅层电接触；

其中，所述N型掺杂微晶硅层包括第一N型掺杂微晶硅层和第二N型掺杂晶微硅层，所述第一N型掺杂微晶硅层的孔隙率小于所述第二N型掺杂微晶硅层的孔隙率；

和/或，所述P型掺杂微晶硅层包括第一P型掺杂微晶硅层和第二P型掺杂晶硅层，所述第一P型掺杂微晶硅层的孔隙率小于所述第二P型掺杂微晶硅层的孔隙率。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二N型掺杂微晶硅层的结晶度大于所述一N型掺杂微晶硅层的结晶度；

和/或，所述二P型掺杂微晶硅层的结晶度大于所述第一P型掺杂微晶硅层的结晶度。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一N型掺杂微晶硅层的孔隙率为2％-30％；

和/或，所述第二N型掺杂微晶硅层的孔隙率为5％-50％；

和/或，所述第二N型掺杂微晶硅层的结晶度为20％-50％；

和/或，所述第一N型掺杂微晶硅层的结晶度为5％-45％。

4.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一P型掺杂微晶硅层的孔隙率为2％-20％；

和/或，所述第二P型掺杂微晶硅层的孔隙率为5％-30％；

和/或，所述第二P型掺杂微晶硅层的结晶度为30-90％；

和/或，所述第一P型掺杂微晶硅层的结晶度为5-50％。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一N型掺杂微晶硅层的总厚度为1-10nm；

和/或，所述第二N型掺杂微晶硅层的总厚度为5-30nm；

和/或，所述第一P型掺杂微晶硅层的总厚度为1-10nm；

和/或，所述第二P型掺杂微晶硅层的总厚度为10-50nm。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一N型掺杂微晶硅层的折射率大于所述第二N型掺杂晶微硅层的折射率；

任选地，所述第一N型掺杂微晶硅层的折射率为2.3-3.2；

任选地，所述第二N型掺杂微晶硅层的折射率为1.5-2.3；

任选地，所述第一P型掺杂微晶硅层的折射率大于所述第二P型掺杂晶微硅层的折射率；

任选地，所述第一P型掺杂微晶硅层的折射率为3.0-3.8；

任选地，所述第二P型掺杂微晶硅层的折射率为2.0-3.0。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一N型掺杂微晶硅层的折射率不大于所述半导体基底的折射率；

任选地，所述第一P型掺杂微晶硅层的折射率不大于所述半导体基底的折射率；

任选地，所述第一电极包括第一透明导电层和第一栅线，所述N型掺杂微晶硅层的折射率大于所述第一透明导电层的折射率；

任选地，所述第二电极包括第二透明导电层和第二栅线，所述P型掺杂微晶硅层的折射率大于所述第二透明导电层的折射率。