[发明专利]第二代高温超导带材封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种第二代高温超导带材封装结构，其特征在于，包括封装带材和待封装第二代高温超导带材，所述封装带材包括第一封装带材和第二封装带材，其中：

第一封装带材和待封装第二代高温超导带材之间、待封装第二代高温超导带材和第二封装带材之间通过低温焊料连接；

第一封装带材、第二封装带材在面向待封装第二代高温超导带材一侧的表面设置有局部氧化区域。

2.一种制备权利要求1所述的第二代高温超导带材封装结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：根据待封装第二代高温超导带材的规格，选取相应带材作为第一封装带材和第二封装带材；

步骤S2：在第一封装带材和第二封装带材的一个表面进行局部氧化处理，氧化区域具有一定的图案特征；

步骤S3：将第一封装带材、待封装第二代高温超导带材以及第二封装带材按照一定次序进行排列，其中经局部氧化处理的第一封装带材的表面和第二封装带材的表面与待封装第二代高温超导带材相对；

步骤S4：采用卷对卷封装工艺，将第一封装带材、待封装第二代高温超导带材以及第二封装带材同时浸没在熔融状态的焊料池中，挤压后拉出焊料池形成第二代高温超导带材封装结构。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，选取的带材包括黄铜、紫铜或不锈钢带材。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，待封装第二代高温超导带材厚度为20～150μm，宽度为2～12mm；封装带材厚度为50～150μm，宽度比第二代高温超导带材宽0.5～3mm。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，局部氧化处理过程包括：在封装带材表面浸涂有机保护层，然后在封装带材一面的刻蚀掉部分保护层形成局部氧化图案，并在该面通过热氧化处理进行局部氧化形成局部氧化层，最后去除封装带材表面的有机保护层，获得单面具有局部氧化图案的封装带材。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，局部氧化图案为点阵和线段的组合，局部氧化图案的面积占封装带材面积的5％～20％，且位于封装带材的中间区域；局部氧化区域的宽度比第二代高温超导带材宽度小0.2～1mm。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，局部氧化处理形成的局部氧化层的厚度为100～500nm，其中氧化层点阵的密度为25～2500/mm²，氧化点的直径为10～50μm；氧化层线段沿带材宽度方向，宽度为10～50μm，线段间的间隔小于50μm。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，待封装第二代高温超导带材结构依次为铜/银/超导层/过渡层/金属基带/银/铜。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，第二代高温超导封装带材和封装带材之间存在焊料层，厚度为5～20μm，焊料层的焊料为铅锡合金、锡铋合金或银铜锡合金。