[发明专利]集成电路工艺方法以及集成电路产品

说明书

一种集成电路工艺方法以及集成电路产品，涉及半导体领域。所述集成电路工艺方法包括：在晶圆上形成第一光阻层；对所述第一光阻层进行第一刻蚀工艺以形成第一图案化光阻层，所述第一图案化光阻层在对应到所述晶圆上的连接点的位置具有多个凹槽；在所述多个凹槽中形成第一连接件；在所述第一图案化光阻层上形成第二光阻层以覆盖所述第一连接件；对所述第二光阻层进行第二刻蚀工艺以形成第二图案化光阻层，所述第二图案化光阻层暴露多个所述第一连接件的至少其中之一；以及在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成第二连接件。所述集成电路产品是依据上述的集成电路工艺方法所制成。

技术领域

本申请是有关于半导体领域，详细来说，是有关于一种集成电路工艺方法以及集成电路产品。

背景技术

在现有技术中，会在晶圆上形成可以与外部装置（如设备或电路板）电性连接的连接件（如金属凸块或铜柱）。然而，所形成的连接件通常会具有同样高度，如此将限制集成电路产品的适用性。

发明内容

有鉴于此，本申请提出一种集成电路工艺方法以及集成电路产品来解决上述问题。

依据本申请的一实施例，提出一种集成电路工艺方法。所述集成电路工艺方法包括：在晶圆上形成第一光阻层；对所述第一光阻层进行第一刻蚀工艺以形成第一图案化光阻层，所述第一图案化光阻层在对应到所述晶圆上的连接点的位置具有多个凹槽；在所述多个凹槽中形成第一连接件；在所述第一图案化光阻层上形成第二光阻层以覆盖所述第一连接件；对所述第二光阻层进行第二刻蚀工艺以形成第二图案化光阻层，所述第二图案化光阻层暴露多个所述第一连接件的至少其中之一；以及在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成第二连接件。

依据本申请的一实施例，对所述第二光阻层进行所述第二刻蚀工艺以形成所述第二图案化光阻层包括：刻蚀第一区域内的所述第二光阻层以暴露所述第一区域下方的所述第一连接件以及所述第一光阻层。

依据本申请的一实施例，刻蚀所述第一区域内的所述第二光阻层包括：在所述第一区域上方设置掩模板；以及对所述第二光阻层进行曝光和显影以刻蚀所述第一区域内的所述第二光阻层。

依据本申请的一实施例，在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成所述第二连接件包括：在所述第一图案化光阻层和所述第一连接件合围的凹槽中形成金属以形成所述第二连接件。

依据本申请的一实施例，对所述第二光阻层进行所述第二刻蚀工艺以形成所述第二图案化光阻层还包括：保留第二区域内的所述第二光阻层，其中所述第二区域下方包括多个所述第一连接件。

依据本申请的一实施例，所述集成电路工艺方法还包括：去除所述第二图案化光阻层以及所述第一图案化光阻层以暴露所述第一区域下方的所述第二连接件和所述第二区域下方的所述第一连接件。

依据本申请的一实施例，在所述多个凹槽中形成所述第一连接件包括：以电镀方式在所述多个凹槽中形成所述第一连接件。

依据本申请的一实施例，在暴露的所述第一连接件上形成金属以形成所述第二连接件包括：以电镀方式在暴露的所述第一连接件上形成金属。

依据本申请的一实施例，所述晶圆包括数个电路单元。所述电路单元上包括第一区域及第二区域。所述第二区域包围所述第一区域。所述第一区域是矩形区域。所述第一区域包括经配置以形成所述第二连接件的多个第一位置。所述第二区域包括经配置以形成所述第一连接件的多个第二位置。所述第一位置到所述第一区域的边界的最近垂直距离大于等于4微米并小于等于所述第一位置与所述第二区域中距离所述第一位置最近的所述第二位置的垂直间距减去3微米。