[发明专利]一种改善N型电池正面镀膜效果的镀膜方法在审
| 申请号： | 202310033515.0 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN115832113A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘迎春;李静 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/40;C23C16/505;C23C16/455;C23C16/54;C23C16/34;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 龚拥军 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电池 正面 镀膜 效果 方法 | ||
1.一种改善N型电池正面镀膜效果的镀膜方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1 将N型电池硅片放置于石墨舟载具上并进舟等待处理；
S2 通过第一工艺管在N型电池硅片的正面制备氧化铝层，具体步骤包括S21、S22、S23和S24；
S21 沉淀硅源，将TMA化学吸附在硅片表面，铺满一层后呈饱和状态TMA不再沉淀，此时生成-O-Al-键；
S22 通入氩气将多余的TMA以及副产物吹扫出去；
S23 通入笑气并利用射频电源将其电离为等离子体状态，与步骤S21中的铝元素反应生成氧化铝；
S24 再次通入氩气将多余的副产物吹扫出去，重复步骤S2以生成5-10nm 的氧化铝层；
S3 利用机械抓手将石墨舟抓取出管并放置于第二工艺管的浆料上，直接进舟等待处理；
S4 通过第二工艺管在N型电池硅片的正面制备氮化硅层和氧化硅层，具体步骤包括S41和S42；
S41 采用PECVD方式，开启等离子电源；
S42 通入四氢化硅、氨气和二氧化氮，在N型电池硅片的正面生成70-8-nm的氧化硅层和氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的一种改善N型电池正面镀膜效果的镀膜方法，其特征在于：所述步骤S2过程中应当将温度控制在150-300℃之间。
3.根据权利要求1所述的一种改善N型电池正面镀膜效果的镀膜方法，其特征在于：所述步骤S4过程中应当将温度控制在400-450℃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
