[发明专利]一种半导体设备铝合金零部件超高洁净清洗工艺及应用

权利要求书

1.一种半导体设备铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，包括：

S1.将待清洗零部件置于含有清洗液的超声波清洗机内，加热至55~65℃后清洗2~10min，去除产品表面油污；

S2.将经过S1处理后所得零部件放入清水中进行第一次过滤清洗，去除零部件表面残留药水；

S3.将经过S2清洗后所得零部件浸入含有酸蚀溶液的容器内，酸蚀处理8~18s，去除表面自然氧化物，并重复步骤S2；

S4.将经过S3清洗后所得零部件浸入含有酸洗溶液的容器内，浸泡1~5分钟，去除表面新的氧化物，并重复步骤S2；

S5.将经过S4清洗后所得零部件浸入硝酸混合水溶液中，浸泡5~10min，并重复步骤S2；

S6.将经过S5处理后所得零部件浸入硝酸水溶液中，浸泡1-5min，并重复步骤S2；

S7.将经过S6处理后所得零部件进行清水高压冲洗，进一步去除产品表面附着的药水；

S8.将经过S7清洗后所得零部件放入温度为20~30℃的超声波热水池内进行过滤清洗1~5min；

S9.溢流开启1/3，将经过S8清洗后所得零部件用温度为40℃~46℃的热水浸泡2~5min；

S10.将经过S9清洗后所得零部件采用0.1μm过滤器过滤后的氮气吹干；

S11.将经过S10吹干后所得零部件在充满氮气的烘箱内进行烘烤；

S12.将经过S11烘烤后所得零部件使用无尘布和包装袋抽真空包装，即可；

所述S1中清洗液为含有清洗剂和活性剂的水溶液；所述清洗剂的浓度为20-50g/L，活性剂的质量体积百分浓度为2-30%；

所述清洗剂为磷酸钠、硼砂、碳酸钠和聚氧乙烯聚氧丙烯醚的组合；所述磷酸钠、硼砂、碳酸钠和聚氧乙烯聚氧丙烯醚在清洗剂中的浓度百分比为（4~5）：（2~3）：（1.5~2.5）：1；

所述活性剂为直链烷基苯磺酸钠和脂肪醇硫醚酸钠；所述直链烷基苯磺酸钠和脂肪醇硫醚酸钠在活性剂中的浓度百分比为（2.5~3.5）：（1.5~2.5）；

所述S3中酸蚀溶液为酸性物质的水溶液，所述酸性物质为氢氟酸和硝酸，酸蚀溶液中氢氟酸的质量体积百分浓度为1~10%，所述酸蚀溶液中硝酸的质量体积百分浓度为10~30%；

所述S4中酸洗溶液为硝酸水溶液和臭氧水溶液的组合；

所述S4中酸洗溶液中硝酸的质量体积百分浓度为18~23%，臭氧的质量体积百分浓度为3~8%；

所述S5中硝酸混合水溶液中硝酸的质量体积百分浓度为10~30%；

所述S6中硝酸水溶液中硝酸的质量体积百分浓度为2~20%。

2.根据权利要求1所述一种半导体设备铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，所述S7中清水高压冲洗的压力为50~300bar，水枪的枪头与零部件中的直线距离为20~50cm，水枪与地面的水平角度为40~60°。

3.根据权利要求1所述一种半导体设备铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，所述S2中水的电阻率≥1MΩ，喷洗处理时间为60~120s，温度为20~30℃。

4.根据权利要求3所述一种半导体设备铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，所述S11中充有氮气的烤箱的氮气流量设定为30~40L/min，温度为70~80℃，时间为25~35min。

5.根据权利要求1-4任一项所述一种半导体设备铝合金零部件超高洁净清洗工艺在5纳米制程半导体设备铝合金零部件清洗中的应用。