[发明专利]一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310027176.5 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116153765A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张金风;任泽阳;杨智清;苏凯;何琦;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/267;C30B29/40;C30B29/04;C30B25/16;C30B25/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极性 硼铝氮 材料 金刚石 二维 电子 气异质结 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取C面单晶蓝宝石衬底；
在所述C面单晶蓝宝石衬底上外延生长具有施主掺杂的氮面极性纤维锌矿结构的硼铝氮，形成硼铝氮外延层；在硼铝氮生长过程中，通过对硼源与铝源的比值进行调控以控制所述硼铝氮外延层的硼与铝的组分；
在所述硼铝氮外延层上生长金刚石外延层，以形成异质结。
2.一种基于氮面极性硼铝氮材料的金刚石二维电子气异质结结构，其特征在于，通过权利要求1所述的制备方法制备得到，包括：C面单晶蓝宝石衬底、位于所述C面单晶蓝宝石衬底上具有施主掺杂的氮面极性纤维锌矿结构的硼铝氮外延层和位于所述硼铝氮外延层上的金刚石外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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