[发明专利]电压降违例修复方法、相关装置和介质

说明书

本公开提供了一种电压降违例修复方法、相关装置和介质。该方法包括：在芯片中的模块发生大规模的同时翻转时，获取模块中发生电压降违例的标准单元；获取模块中发生电压降违例的标准单元的第一电压降违例原因；根据预设的电压降违例原因与候选电压降违例修复策略的优先级之间的对应关系，确定第一电压降违例原因所对应的最优电压降违例修复策略；采用最优电压降违例修复策略，对模块中发生电压降违例的标准单元进行电压降违例修复。本公开能够在芯片中存在大规模同时翻转的模块情况下，提高电压降违例的修复效果，降低修复电压降违例带来的其他问题对芯片的签核指标的影响。

技术领域

本公开涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种电压降违例修复方法、相关装置和介质。

背景技术

随着集成电路芯片生产工艺的发展，在现场可编程逻辑门阵列、专用集成电路等集成电路芯片设计过程中，使用的标准单元(Stand Cell)的特性尺寸和互连线宽度不断减小，电路集成度越来越高，高性能和高集成度将会引起高的电流密度，随之出现电压降(IR-drop)现象。对于芯片中存在的大规模同时翻转的模块来说，这类模块中存在大量寄存器并且大量寄存器存在同时从静止状态到工作状态的转变的情况，这会形成极大的瞬态电流，导致从电源网络的焊垫(PAD)到模块内逻辑单元产生巨大的电压降，使得整个模块出现大规模的电压降违例，进而对芯片的功能产生影响。对于存在电压降违例的芯片，通常通过补电源/地互连线来增强电源网络能力，从而通过增强的电源网络来修复电压降。但是，这种方法对于芯片中模块大规模同时翻转导致的电压降收效甚微，不仅如此，这种方法还会占用大量的绕线资源，特别是在项目后期，会严重影响信号互连线的绕线，进一步影响芯片的物理验证和时序收敛，进而影响流片时间点，这降低了电压降违例修复的效果，使得修复电压降违例带来的其他问题仍然影响芯片的签核(signoff)指标。

发明内容

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种电压降违例修复方法、相关装置和介质，能够在芯片中存在大规模同时翻转的模块情况下，提高电压降违例的修复效果，降低修复电压降违例带来的其他问题对芯片的签核指标的影响。

根据本公开第一方面，提供了一种电压降违例修复方法，包括：

在芯片中的模块发生大规模的同时翻转时，获取所述模块中发生电压降违例的标准单元；

获取所述模块中发生电压降违例的标准单元的第一电压降违例原因；

根据预设的电压降违例原因与候选电压降违例修复策略的优先级之间的对应关系，确定所述第一电压降违例原因所对应的最优电压降违例修复策略；

采用所述最优电压降违例修复策略，对所述模块中发生电压降违例的标准单元进行电压降违例修复。

可选地，在所述芯片中的模块发生大规模的同时翻转时，所述模块中发生电压降违例的标准单元的候选电压降违例原因包括：电源网络的顶层金属层上的瞬态电流超过预设阈值，

在所述第一电压降违例原因是所述电源网络的顶层金属层上的瞬态电流超过预设阈值时，所述根据预设的电压降违例原因与候选电压降违例修复策略的优先级之间的对应关系，确定所述第一电压降违例原因所对应的最优电压降违例修复策略包括：

确定所述第一电压降违例原因所对应的最优电压降违例修复策略为增加所述电源网络的顶层金属层上金属绕线的密度和/或加宽金属绕线的宽度。

可选地，在所述芯片中的模块发生大规模的同时翻转时，所述模块中发生电压降违例的标准单元的候选电压降违例原因包括：电源网络的底层金属层上瞬态电流超过预设阈值，

在所述第一电压降违例原因是所述电源网络的底层金属层上瞬态电流超过预设阈值时，所述根据预设的电压降违例原因与候选电压降违例修复策略的优先级之间的对应关系，确定所述第一电压降违例原因所对应的最优电压降违例修复策略包括：