[发明专利]一种可复用高频低介电低损耗的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种可复用高频低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

使二酐单体和多胺基化合物在溶剂存在的条件下进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；其中，所述多胺基化合物中含有一个以上三氟甲基；

将所述聚酰胺酸溶液进行成型，得到聚酰胺酸薄膜；

将所述聚酰胺酸薄膜进行热亚胺化反应，得到可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。

2.根据权利要求1所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，以所述二酐单体和多胺基化合物的总摩尔量为基准，所述多胺基化合物的摩尔分数为0.01-10％。

3.根据权利要求1所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述缩聚反应的条件包括：于惰性气氛下反应，反应温度为-5℃-30℃，反应时间为6-24h；

将所述聚酰胺酸薄膜采用以下升温程序进行热亚胺化反应：以1.0～20℃/min的升温速率升温至30-90℃后保温5-120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至90-150℃后保温5-120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至150-200℃后保温5-120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至200-250℃后保温5-120min，以1.0～20℃/min的升温速率升温至250-400℃后保温5-120min。

4.一种可复用高频低介电损耗聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

使二酐单体和多胺基化合物在溶剂存在的条件下进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；其中，所述多胺基化合物中含有一个以上三氟甲基；

向所述聚酰胺酸溶液中加入吡啶和催化剂，进行化学亚胺化反应，得到聚酰亚胺；

使所述聚酰亚胺成膜，得到可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。

5.根据权利要求4所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述多胺基化合物、二酐单体、催化剂、吡啶的加料比为1mol:1mol:(1-3)ml:(0.5-2)ml；

所述催化剂选自乙酸酐、喹啉、异喹啉中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述缩聚反应的条件包括：于惰性气氛下反应，反应温度为-5℃-30℃，反应时间为6-24h；

所述化学亚胺化反应的条件包括：反应温度为60-190℃，反应时间为12-24h。

7.根据权利要求1或4所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述多胺基化合物为二胺基化合物，所述二胺基化合物选自以下结构式中的一种或多种：

其中，所述n的取值范围为1-10的整数；

所述二酐单体选自以下结构式中的一种或多种：

8.根据权利要求1或4所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自无水DMF、无水NMP、无水DMAC、γ-丁内酯中的一种或多种。

9.一种采用权利要求1-8任一项所述的制备方法制备得到的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜。

10.一种权利要求9所述的可复用高频低介电损耗的聚酰亚胺薄膜在电子封装材料、电路基板中的应用。