[发明专利]一种正向辐射的异构集成封装天线

权利要求书

1.一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，包括介质基片、金属屏蔽层、金属贴片(3)、金属化通孔围栏(4)、MMIC芯片(5)和片上天线(6)；

所述介质基片共三层，依次垒叠，第一介质基片(11)四周削薄，中间向上凸出矩形介质块，第二介质基片(12)底部刻蚀矩形环，中间向下凸出矩形介质块，第三介质基片(13)中心刻蚀空气腔，保留介质基底；

所述金属屏蔽层附着于介质基片表面，第一金属屏蔽层(21)附着于第一介质基片(11)顶面，第二金属屏蔽层(22)介于第一介质基片(11)和第二介质基片(12)之间，第三金属屏蔽层(23)介于第二介质基片(12)和第三介质基片(13)之间，第四金属屏蔽层(24)附着于第三介质基片(13)底面，第五金属屏蔽层(25)附着于第二介质基片(12)的矩形环顶面，第六金属屏蔽层(26)附着于第二介质基片(12)的矩形环外侧面，第七金属屏蔽层(27)附着于第三介质基片(13)的空气腔侧面，第八金属屏蔽层(28)附着于第三介质基片(13)的空气腔底面；

所述金属贴片(3)呈矩形状，介于第一介质基片(11)和第二介质基片(12)之间，居于中心位置；

所述金属化通孔围栏(4)首尾相接，整体呈矩形状，从上至下依次贯穿第一金属屏蔽层(21)、第一介质基片(11)、第二金属屏蔽层(22)、第二介质基片(12)和第五金属屏蔽层(25)；

所述MMIC芯片(5)置于第三介质基片(13)的空气腔内；

所述片上天线(6)，设计在MMIC芯片(5)上，居于中心位置。

2.根据权利要求1所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述第一介质基片(11)中间向上凸出矩形介质块无附着金属屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述的第二介质基片(12)中间向下凸出矩形介质块无附着金属屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述的第一金属屏蔽层(21)中心留有矩形耦合窗。

5.根据权利要求1所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述的第二金属屏蔽层(22)中心留有矩形耦合窗。

6.根据权利要求1所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述的第五金属屏蔽层(25)中心留有矩形耦合窗。

7.根据权利要求1所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述的片上天线(6)的种类选自贴片天线、单极子天线、偶极子天线或缝隙天线。

8.根据权利要求7所述的一种正向辐射的异构集成封装天线，其特征在于，所述的片上天线(6)，其馈电方式选自单端馈电或差分馈电。

9.一种如权利要求1～8任意一项所述的一种正向辐射的异构集成封装天线组成的毫米波、太赫兹频段的天线，其特征在于，该毫米波、太赫兹频段的天线包括两个以上所述的正向辐射的异构集成封装天线。