[发明专利]桥接芯片、扇出型封装结构以及相应的封装方法在审

专利信息
申请号: 202310007343.X 申请日: 2023-01-04
公开(公告)号: CN115966537A 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 余泽龙;杨帅;胡振斌;徐健 申请(专利权)人: 星科金朋半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/482;H01L23/498;H01L23/52;H01L23/538;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 姚宇吉
地址: 214400 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 芯片 扇出型 封装 结构 以及 相应 方法
【说明书】:

发明涉及芯片封装技术领域,公开了一种桥接芯片、扇出型封装结构以及相应的封装方法,所述桥接芯片的顶面设有多个第一焊盘和芯片连接结构,多个第一焊盘上分别用于连接引线,所述引线用于将所述桥接芯片的顶面与连接所述桥接芯片底面的第一金属线路层电性连接,所述芯片连接结构用于桥接至少两个芯片。本发明将桥接芯片通过引线焊接技术导通,工艺稳定且成熟,在不增加封装体厚度和体积的前提下,充分利用扇出型封装体内部空间,实现芯片功能的最大化。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域,具体为一种桥接芯片、扇出型封装结构以及相应的封装方法。

背景技术

扇出型高密度集成封装中,芯片与芯片互连的常用办法是通过底部桥接芯片实现有效连接,具体的,如图1所示为现有芯片封装结构,包括基板100和位于基板表面的芯片结构200,如图2所示为具有桥接芯片的芯片结构的示意图,可以看到在芯片结构200中,桥接芯片46的功能面分别与第一芯片61和第二芯片62电性连接,而桥接芯片的非功能面通过晶片粘结膜47连接PI钝化层,桥接芯片下方对应位置的焊锡球,即虚线框11里面的焊锡球都为假焊球。

在现有技术中,为了焊球分布的均匀性,通常在桥接芯片下方对应位置也需要设置有焊锡球,但由于底部的桥接芯片目前仅有一侧是功能面,另一侧非功能面是通过晶片粘结膜与PI钝化层粘合达到固定桥接芯片作用,所述桥接芯片下方的焊锡球没有电路可以连接,均是假焊球,无实际功能,这些假焊球占用了芯片的大量面积,导致实际有效区域面积大打折扣。

发明内容

本发明的目的在于克服现有具有桥接芯片的芯片封装结构效用不高的问题,提供了一种桥接芯片、扇出型封装结构以及相应的封装方法。

为了实现上述目的,本发明提供一种桥接芯片,包括:所述桥接芯片的顶面设有多个第一焊盘和芯片连接结构,多个第一焊盘上分别用于连接引线,所述引线用于将所述桥接芯片的顶面与连接所述桥接芯片底面的第一金属线路层电性连接,所述芯片连接结构用于桥接至少两个芯片。

作为一种可实施方式,所述桥接芯片的底面用于与所述第一金属线路层电性连接。

作为一种可实施方式,所述桥接芯片的底面用于通过多个凸点焊接在所述第一金属线路层第一表面。

作为一种可实施方式,所述桥接芯片的顶面和底面都具有独立的器件结构,所述桥接芯片的顶面和底面通过引线、第一金属线路层、凸点电性连接。

作为一种可实施方式,多个第一焊盘分别设在所述桥接芯片顶面靠近外边缘的位置。

作为一种可实施方式,所述桥接芯片的顶面还具有不限于将芯片进行互连的功能的其他器件结构。

本发明实施例还提供了一种包含上述的桥接芯片的扇出型封装结构,包括:第一金属线路层,位于所述第一金属线路层第一表面的桥接芯片塑封层,位于所述桥接芯片塑封层表面并与所述桥接芯片塑封层电性连接的芯片结构塑封层;

其中,所述桥接芯片塑封层包括所述桥接芯片,所述第一金属线路层第一表面设有对应第一焊盘的多个第二焊盘,所述第一焊盘和对应的第二焊盘通过引线连接,使得所述桥接芯片的顶面与所述第一金属线路层电性连接。

作为一种可实施方式,所述桥接芯片塑封层和所述芯片结构塑封层之间还设有第二金属线路层,所述第二金属线路层位于所述桥接芯片塑封层表面并与所述桥接芯片塑封层中桥接芯片的芯片连接结构电性连接,所述芯片结构塑封层位于所述第二金属线路层表面且所述芯片结构塑封层的至少两个芯片与所述第二金属线层电性连接。

作为一种可实施方式,当所述桥接芯片的底面通过多个凸点焊接在所述第一金属线路层第一表面,所述桥接芯片的底面和所述第一金属线路层之间的多个凸点周围填充有固化胶。

作为一种可实施方式,所述引线为铜线或金线。

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