[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，在透光性基板上具备遮光膜，其特征在于，

所述遮光膜是利用由硅和氮构成的材料形成的单层膜，或者是利用由选自半金属元素及非金属元素中的一种以上的元素、硅及氮构成的材料形成的单层膜，

所述遮光膜对于ArF准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.0以上，

所述遮光膜的所述衰减系数k为2.6以下，

所述遮光膜的所述折射率n为0.8以上，

所述遮光膜对于所述曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，

n≦0.0733×k²+0.4069×k+1.0083···式(1)，

n≧0.0637×k²－0.1096×k+0.9585···式(2)，

n≧0.7929×k²－2.1606×k+2.1448···式(3)。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其特征在于，

所述遮光膜的除所述透光性基板侧的表层和与所述透光性基板相反的一侧的表层之外的区域的厚度方向上的氮含量的偏差为5原子％以内。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

在所述遮光膜上具备由含有铬的材料构成的硬质掩膜。

4.一种转印用掩模，在透光性基板上具备具有转印图案的遮光膜，其特征在于，

所述遮光膜是利用由硅和氮构成的材料形成的单层膜，或者是利用由选自半金属元素及非金属元素中的一种以上的元素、硅及氮构成的材料形成的单层膜，

所述遮光膜对于ArF准分子激光的曝光用光的光学浓度为3.0以上，

所述遮光膜的所述衰减系数k为2.6以下，

所述遮光膜的所述折射率n为0.8以上，

所述遮光膜对于所述曝光用光的折射率n及衰减系数k同时满足以下的式(1)、式(2)和式(3)所限定的关系，

n≦0.0733×k²+0.4069×k+1.0083···式(1)，

n≧0.0637×k²－0.1096×k+0.9585···式(2)，

n≧0.7929×k²－2.1606×k+2.1448···式(3)。

5.根据权利要求4所述的转印用掩模，其特征在于，

所述遮光膜的除所述透光性基板侧的表层和与所述透光性基板相反的一侧的表层之外的区域的厚度方向上的氮含量的偏差为5原子％以内。

6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备使用权利要求4或5所述的转印用掩模，对半导体基板上的抗蚀膜曝光转印转印图案的工序。