[发明专利]一种有机发光材料清洗剂及清洗方法

说明书

本发明公开了一种有机发光材料清洗剂及清洗方法。该清洗剂由A液与B液组成，其中A液按质量百分数计包括1‑5%的渗透剂，1‑10%的乳化剂，其余为矿物油；其中B液为极性非质子溶剂。本发明提供的有机发光材料清洗剂可在较低的成本下，高效的溶解Mask、坩埚、蒸镀腔挡板等蒸镀工艺器件上残留的有机发光材料，减少各种蒸镀器件的损伤，提高蒸镀器件的清洗良率。

技术领域

本发明属于清洗剂技术领域，具体涉及一种用于有机发光二极管（OLED）蒸镀工艺中坩埚、金属掩膜版以及蒸镀腔挡板上沉积的有机发光材料清洗剂，以及采用该有机发光材料清洗剂对坩埚、金属掩膜版以及蒸镀腔挡板的清洗方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)屏幕，主要由金属阴极、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、ITO阳极组成，其中有机发光层主要由不同的有机发光材料组成。目前蒸镀工艺作为有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)屏幕生产的主要工艺，蒸镀完成后坩埚、金属掩膜版以及蒸镀腔挡板上会残留一定厚度的有机发光材料，由于在量产的条件下，坩埚、金属掩膜版等需要重复使用多次，为了避免污染和混色，在每次使用完后需要进行清洗。

常规的清洗方法一般有两种：一种方式是通过对坩埚、金属掩膜版等进行整体加热，热量将坩埚、金属掩膜版上残留的有机材料蒸发掉；另一种方式是使用单一的有机溶剂对有机发光材料进行溶解，从而去除坩埚、金属掩膜版上的有机发光材料。在上述的两种清洗方法中，整体加热会造成温度高，导致坩埚、金属掩膜版，蒸镀腔挡板等膨胀，可能损坏器件；单一的有机溶剂往往对有机发光材料的溶解度较低，并且当有机发光材料堆积得较厚时，单一的有机溶剂只能溶解表面，无法快速的完全将有机发光材料溶解，造成清洗周期长，良率较低的问题。在解决有机发光材料堆积较厚的问题时，目前大量采用的方法是人工手动用滚轮对残留的有机发光材料进行物理剥离，往往无法完全清除干净，会在金属掩膜版开口蒸镀角处、挡板缝隙等位置残留，形成毛刺现象；此外，滚轮清除过程中极易使MASK发生形变，以上均极大的影响良率。

随着全球对OLED屏幕需求的激增及国内OLED产业的壮大，本领域亟待开发一种能简单、快速、有效去除金属掩膜板表面有机发光材料的方法，且不会使MASK发生形变和损伤，提高产品良率。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种能够去除蒸镀工艺中沉积的有机发光材料清洗剂与清洗方法。所述方法能够快速、有效的去除有机发光材料，且不会使金属掩膜板发生形变。

为了解决上述技术问题，本发明采取的技术方案如下：

一种A液与B液结合的有机发光材料清洗剂，其中A液按质量百分数计包括1-5%的渗透剂，1-10%的乳化剂，其余为矿物油；其中B液为极性非质子溶剂。

所述的渗透剂为烷基酰胺聚醚表面活性剂AKEO，其结构式为：

；

其中s为7-17的整数，n为1-20的整数。

进一步的，所述的乳化剂为AEO-4、AEO-5、AEO-6、MOA-4、MOA-5、MOA-6、OP-10、SG-6、SG-10、LAE-4、LAE-9中的一种或多种。

进一步的，所述的矿物油为D60、D80、D100、正十二烷烃、异构十二烷烃、正癸烷、异构癸烷中的一种或多种。

进一步的，所述的极性非质子溶剂为二甲基亚砜（DMSO）、N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N,N-二甲基乙酰胺（DMA）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、丙酮（ACE）、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中（DMI）的一种或多种。

进一步的，按质量百分数计，A液中渗透剂的含量为1-3%，乳化剂的含量为2-8%。

进一步的，同时，本发明还提供了一种清洗方法，包括采用上述的有机发光材料清洗剂对附着有有机发光材料的蒸镀器件进行清洗。