[实用新型]一种超宽带高抑制LTCC滤波器

权利要求书

1.一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：包括从上至下依次间隔设置的地线层GND1、耦合单元层、Z字形交叉耦合线和地线层GND2，耦合单元层包括从左至右依次间隔设置的第一耦合单元、第二耦合单元、第三耦合单元、第四耦合单元、第五耦合单元和第六耦合单元，第一耦合单元包括电感L1和电容C1，电感L1通过微带线连接输入端INPUT，第二耦合单元包括电感L2和电容C2，第三耦合单元包括电感L3和电容C3，第四耦合单元包括电感L4和电容C4，第五耦合单元包括电感L5和电容C5，第六耦合单元包括电感L6和电容C6，电感L6通过微带线连接输出端OUTPUT。

2.如权利要求1所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：第一耦合单元、第二耦合单元、第三耦合单元、第四耦合单元、第五耦合单元和第六耦合单元均设置在同一个平面内，第一耦合单元、第二耦合单元、第三耦合单元、第四耦合单元、第五耦合单元和第六耦合单元平行设置，Z字形交叉耦合线位于第二耦合单元、第三耦合单元、第四耦合单元和第五耦合单元的下方。

3.如权利要求1所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：Z字形交叉耦合线为微带线。

4.如权利要求1所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：输入端INPUT设于电感L1的左边，输出端OUTPUT设于电感L6的右边。

5.如权利要求2所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：电感L1伸入电容C1上下两层之间，电感L2伸入电容C2上下两层之间，电感L3伸入电容C3上下两层之间，电感L4伸入电容C4上下两层之间，电感L5伸入电容C5上下两层之间，电感L6伸入电容C6上下两层之间。

6.如权利要求5所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：电感L1的后端、电感L2的后端、电感L3的后端、电感L4的后端、电感L5的后端和电感L6的后端均与地线层GND1后端齐平，电感L2的前端、电感L3的前端、电感L4的前端和电感L5的前端齐平，电感L1的前端和电感L6的前端齐平，电感L1的前端位于电感L2前端的前侧；

电容C1的前端、电容C2的前端、电容C3的前端、电容C4的前端、电容C5的前端和电容C6的前端均与地线层GND1的前端齐平，电容C2的后端、电容C3的后端、电容C4的后端和电容C5的后端齐平，电容C1和电容C6的后端齐平，电容C1的后端位于点C2的后端的后侧。

7.如权利要求6所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：输入端INPUT通过微带线连接电感L1前端，输出端OUTPUT通过微带线连接电感L6的前端。

8.如权利要求2所述的一种超宽带高抑制LTCC滤波器，其特征在于：Z字形交叉耦合线的前端与地线层GND1的前端齐平，Z字形交叉耦合线的后端与地线层GND1的后端齐平。