[实用新型]一种适用于硅片精密清洗的清洗架有效
申请号: | 202223526298.9 | 申请日: | 2022-12-28 |
公开(公告)号: | CN219303622U | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 孙淮西;袁博 | 申请(专利权)人: | 四川三三零半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 黄蓉蓉 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 硅片 精密 清洗 | ||
本实用新型公开了一种适用于硅片精密清洗的清洗架,涉及半导体精密洗技术领域,解决现有的超声法清洗硅片时无法分类且清洗效果差的技术问题,一种适用于硅片精密清洗的清洗架,包括托盘和支架,所述托盘中部开设有第一通孔,所述托盘顶部开设有多个凹槽,所述支架包括支板和支柱,所述支柱贯穿所述第一通孔,所述支板与所述支柱位于所述托板底部的一端连接且与所述托盘的底部抵接。本实用新型可以优化清洗流程,清洗前后晶片的位置固定,不会混淆,可以一次性清洗不同批次的晶片,提高清洗效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体精密洗技术领域,更具体的是涉及一种适用于硅片精密清洗的清洗架技术领域。
背景技术
在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。硅片清洗法和,不管是对于从硅片加工的人,还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。
硅片清洗有以下三种方法,具体如下:刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。高压清洗:是用液体喷射片子表面,喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用,片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用,靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。超声波清洗:超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于1微米颗粒则比较困难。
由于硅片尺寸小且易损坏导致实验室或工厂在清洗时操作难度较大,经常出现物料被混淆、洗坏或者丢失以及清洗质量不达标影响后续生产的情况。现有的超声洗硅片无法进行分类,清洗困难清洗质量低有时需要反复清洗。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:为了解决上述超声法清洗硅片时无法分类且清洗效果差的技术问题,本实用新型提供一种适用于硅片精密清洗的清洗架。
本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案:
一种适用于硅片精密清洗的清洗架,包括托盘和支架,所述托盘中部开设有第一通孔,所述托盘顶部开设有多个凹槽,所述支架包括支板和支柱,所述支柱贯穿所述第一通孔,所述支板与所述支柱位于所述托盘底部的一端连接且与所述托盘的底部抵接。
优选地,所述托盘设置有多个,所述支柱依次贯穿每个所述托盘上的第一通孔,相邻两个所述托盘的顶部和底部之间相抵接。
优选地,所述托盘为圆形板,所述第一通孔设置在所述托盘的中心处,所述托盘上沿所述第一通孔环形阵列开设有多个所述凹槽。
优选地,每个所述凹槽底部均开设有多个第二通孔。
优选地,所述托盘底部沿所述托盘外圆周设置有肩台,所述托盘底部位于所述通孔正下方设置有环形凸台。
优选地,所述肩台上水平开设有多个通槽a,所述环形凸台上水平开设有多个通槽b。
优选地,所述环形凸台的内环尺寸大于所述支板的尺寸。
优选地,所述支板为圆形板,所述支柱为圆柱体,所述支柱与所述支板垂直设置。
优选地,所述支板的竖直中心线与所述支柱的轴线重合。
本实用新型的有益效果如下:
1.本实用新型的凹槽用于限制硅片在超声洗过程中的震动,在托盘的中部开设第一通孔,用于和支板、支柱进行卡接,本实用新型的清洗架可以同时清洗多个硅片,优化清洗流程,固定硅片清洗前后的位置,不会混淆,可以一次性清洗不同批次的晶片,提高清洗效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造