[实用新型]一种便携式智能测深系统电源保护电路

权利要求书

1.一种便携式智能测深系统电源保护电路，其特征在于，包括滞回比较电路、两路死区延时电路和两路MOSFET开关；外部直流电源分别与一路所述MOSFET开关相连和所述滞回比较电路相连，内部电池与另一路所述MOSFET开关相连，所述滞回比较电路依次与所述死区延时电路和所述MOSFET开关相连；其中所述滞回比较电路与测深仪相连。

2.如权利要求1所述的一种便携式智能测深系统电源保护电路，其特征在于，所述MOSFET开关包括：三极管Q1、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7；电阻R1、电阻R5、电阻R9、电阻R11、电阻R15、电阻R18；

所述MOSFET开关电路的具体连接关系为：三极管Q3与三极管Q4的S极相连，内部电池的正极接三极管Q3的D极，三极管Q4的D极接负载，三极管Q1与电阻R1、电阻R5、电阻R9组成MOSFET开关的驱动电路；电阻R9的一端接死区延时电路送过来的开关信号，另一端接三极管Q1的1脚；电阻R1的一端接三极管Q3、三极管Q4的G极，另一端接三极管Q3、三极管Q4的S极；电阻R5的一端接三极管Q3、三极管Q4的G极，另一端接三极管Q1的三脚；三极管Q5与三极管Q6的S极相连，外接电源的正极接三极管Q5的D极，三极管Q6的D极接负载，三极管Q7与电阻R11、电阻R15、电阻R18组成MOSFET开关的驱动电路；电阻R18的一端接死区延时电路送过来的开关信号，另一端接三极管Q7的1脚；电阻R11的一端接三极管Q5、三极管Q6的G极，另一端接三极管Q5、三极管Q6的S极；电阻R15的一端接三极管Q5、三极管Q6的G极，另一端接三极管Q7的三脚。

3.如权利要求1所述的一种便携式智能测深系统电源保护电路，其特征在于，所述滞回比较电路包括：电容C1；集成电路U1、集成电路U2；电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R16、电阻R17、电阻R19；三极管Q2、二极管D1、二极管D2；

所述滞回比较电路的具体连接关系为：电阻R3与三极管Q2相连组成2.5V电压基准，电阻R6与二极管D1接到集成电路U1的5脚与7脚间作为反馈回路，电阻R2、电阻R10对外接电源分压后接入集成电路U1的负向输入端6脚，电阻R7、电阻R8分别接集成电路U1的5脚与6脚作为输入阻抗匹配，电阻R4为滞回比较器的输出上拉，将集成电路U1的7脚输出上拉到5V，集成电路U2为非门，将滞回比较器7脚输出信号反向，电阻R12与二极管D2接到集成电路U1的3脚与1脚间作为反馈回路，电阻R13、电阻R19对外接电源分压后接入集成电路U1的负向输入端2脚，电阻R16、电阻R17分别接集成电路U1的3脚与2脚作为输入阻抗匹配，电阻R14为滞回比较器的输出上拉，将集成电路U1的1脚输出上拉到5V。

4.如权利要求1所述的一种便携式智能测深系统电源保护电路，其特征在于，所述死区延时电路包括：电阻R22；电容C3、电容C5、电容C8、电容C9、电容C10；集成电路U4、集成电路U5、集成电路U6、集成电路U7；

所述死区延时电路的具体连接关系为：滞回比较电路的两路输出信号分别接到与门集成电路U5的两个输入脚1脚跟2脚，3脚作为与门集成电路U5的输出脚，一路连接到集成电路U4的一路输入脚1脚与集成电路U7的一路输入脚1脚，另一路经过电阻R22与电容C8组成的RC延时电路接入到集成电路U6的输入脚2脚，集成电路U6的输出连接到集成电路U4的一路输入脚2脚与集成电路U7的一路输入脚2脚。