[实用新型]一种存储单元结构

权利要求书

1.一种存储单元结构，其特征在于，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所述晶体管M2的源极接地、漏极与所述晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极连接所述读字线RWL、漏极连接所述读位线RBL；所述写位线WBL、所述写字线WWL、所述读字线RWL和所述读位线RBL分别连接第一、第二、第三和第四电源模块；所述第一、第二、第三和第四电源模块分别用于在所述存储单元结构进行写操作时保持高电平、高电平、低电平和低电平；所述第一、第二、第三和第四电源模块分别用于在所述存储单元结构进行读操作时保持低电平、低电平、高电平和高电平。

2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述晶体管M1和所述晶体管M2之间设置有敏感节点SN，所述敏感节点SN连接有电容。

3.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述晶体管M3采用平面型工艺实现或者采用三维工艺制成。

4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述晶体管M3采用单栅、双栅、三栅或环绕栅结构。

5.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述晶体管M3采用硅基工艺或非硅工艺。