[实用新型]一种基于微米光纤集成的高效倍频器件

权利要求书

1.一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，包括：衬底、叉指电极、二阶非线性光学材料薄膜和微纳光纤；所述叉指电极设置在衬底上表面，所述二阶非线性光学材料薄膜覆盖在叉指电极上表面，所述微纳光纤紧贴于二阶非线性光学材料薄膜上表面。

2.根据权利要求1所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述叉指电极厚度为20-200nm，相邻叉指的间距为30-200μm。

3.根据权利要求1所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述二阶非线性光学材料薄膜厚度为0.6nm-1μm，尺寸大于或等于1cm*1cm。

4.根据权利要求1所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述微纳光纤由氢焰拉锥法制备，具有双锥形结构，双锥形结构区域紧贴于所述二阶非线性光学材料薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述微纳光纤的直径为6-18μm，直径由两侧向中间逐渐减小，并在腰部趋于均匀，双锥形结构之间的长度为7-20mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述衬底使用折射率与微纳光纤折射率相近的材料制成。

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述叉指电极的材料为金、银、铜、铂、铝、铋、钛、钯、铬、锌、钼、氧化铟锡中的任意一种。

8.根据权利要求1-5任一项所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述叉指电极通过真空电子束蒸发镀膜、光刻、磁控溅射、激光雕刻、刮擦中的任意一种方法制备。

9.根据权利要求1-5任一项所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于，所述二阶非线性光学材料薄膜所使用的材料为奇数层过渡金属二卤族化合物或氧化物晶体。

10.根据权利要求1-5任一项所述的一种基于微米光纤集成的高效倍频器件，其特征在于：所述微纳光纤为单模光纤、少模光纤、多模保偏光纤、光子晶体光纤中的任意一种。