[实用新型]一种芯片

权利要求书

1.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括层叠设置的第一外延结构和第二外延结构，所述第一外延结构的宽度小于所述第二外延结构的宽度，所述第一外延结构和所述第二外延结构的表面由介质层覆盖，所述介质层开设有电极沟道，所述电极沟道中设置有电极材料。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括衬底层，所述第一外延结构、所述第二外延结构和所述衬底层依次层叠设置。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述第二外延结构和所述衬底层之间，所述缓冲层的晶格常数介于所述第二外延结构的晶格常数和所述衬底层的晶格常数之间。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，沿朝向所述第二外延结构的方向，所述第一外延结构包括层叠设置的第一掺杂类型半导体层、电子阻挡层和多量子阱结构有源层，所述第二外延结构包括第二掺杂类型半导体层。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述电极沟道包括第一子沟道和第二子沟道，所述电极材料包括第一类型材料和第二类型材料，所述第一子沟道和所述第二子沟道中分别设置所述第一类型材料和所述第二类型材料，且所述第一子沟道位于所述第一掺杂类型半导体层位置，所述第二子沟道位于所述第二掺杂类型半导体层位置。

6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一外延结构还包括氧化铟锡层，所述氧化铟锡层设置在所述第一掺杂类型半导体层背离所述第二外延结构的表面。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，所述介质层设置在所述氧化铟锡层的表面并延伸覆盖至所述第二掺杂类型半导体层的表面。

8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，所述第一子介质层设置在所述第一外延结构的表面并延伸覆盖至所述第二外延结构的表面，所述第一子介质层开设有所述电极沟道，所述第二子介质层覆盖所述第一子介质层和所述电极材料。

9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述介质层为Si₃N₄介质层。

10.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一外延结构的宽度为50微米。

11.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第一子沟道的宽度范围为1微米至7微米。

12.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述第一子介质层的厚度范围为500纳米至3微米，所述第二子介质层的厚度范围为50纳米至200纳米。