[实用新型]用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备

权利要求书

1.一种用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，至少包括依次设置的放卷室、工艺室、及收卷室；放卷室通过放卷辊将柔性PI基材放卷向前输送，收卷室通过收卷辊对生成Cu功能层的铜膜进行卷收；其特征在于，工艺室至少包括：

表面活化工艺室，用于对输送而来的柔性PI基材进行二次烘烤，并通过离子源对柔性PI基材进行材料表面活化处理；

改性工艺室，用于通过金属源注入Cu离子，使经表面活化处理的柔性PI基材表面，形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层；

弧靶离子镀膜工艺室，用于通过弧源离子源注入Cu离子，使改性嵌入层上形成Cu过渡层；以及

磁控溅射镀膜工艺室，用于通过磁控溅射源以直流溅射的方式在Cu过渡层上形成Cu功能层。

2.如权利要求1所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，

弧靶离子镀膜工艺室的弧源离子源包括第一弧源离子源和第二弧源离子源，其中，第一弧源离子源位于弧靶离子镀膜工艺室左侧偏上位置，并用于在柔性PI基材正面的改性嵌入层上形成Cu过渡层；而第二弧源离子源位于弧靶离子镀膜工艺室右侧偏下位置，并用于在柔性PI基材背面的改性嵌入层上形成Cu过渡层。

3.如权利要求2所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，

弧靶离子镀膜工艺室内靠近第一弧源离子源处设有上下设置的第一冷却辊和第二冷却辊，第一冷却辊和第二冷却辊之间设有第一纵向冷却板，该第一纵向冷却板与第一弧源离子源相对，并用于对柔性PI基材的背面进行冷却处理；

弧靶离子镀膜工艺室内靠近第二弧源离子源处设有上下设置的第三冷却辊和第四冷却辊，第三冷却辊和第四冷却辊之间设有第二纵向冷却板，该第二纵向冷却板与第二弧源离子源相对，并用于对柔性PI基材的正面进行冷却处理。

4.如权利要求3所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，

磁控溅射镀膜工艺室的磁控溅射源包括第一磁控溅射源、第二磁控溅射源、第三磁控溅射源和第四磁控溅射源，其中，第一磁控溅射源和第二磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室左侧，用于在柔性PI基材背面的Cu过渡层上形成Cu功能层；第三磁控溅射源和第四磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室右侧，用于在柔性PI基材正面的Cu过渡层上形成Cu功能层。

5.如权利要求4所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，

磁控溅射镀膜工艺室内靠近第一磁控溅射源和第二磁控溅射源的右侧设有上下设置的第五冷却辊和第六冷却辊，第五冷却辊和第六冷却辊之间设有第三纵向冷却板，该第三纵向冷却板与第一磁控溅射源和第二磁控溅射源相对，并用于对柔性PI基材的正面进行冷却处理；

磁控溅射镀膜工艺室内靠近第三磁控溅射源和第四磁控溅射源的左侧设有上下设置的第七冷却辊和第八冷却辊，第七冷却辊和第八冷却辊之间设有第四纵向冷却板，该第四纵向冷却板与第三磁控溅射源和第四磁控溅射源相对，并用于对柔性PI基材的背面进行冷却处理。

6.如权利要求5所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，

改性工艺室的金属源包括第一金属源和第二金属源，其中，第一金属源位于改性工艺室左侧偏上位置，并用于在柔性PI基材正面形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层；而第二金属源位于改性工艺室右侧偏下位置，并用于在柔性PI基材背面形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层。

7.如权利要求6所述的用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，其特征在于，

改性工艺室内靠近第一金属源处设有上下设置的第九冷却辊和第十冷却辊，第九冷却辊和第十冷却辊之间设有第五纵向冷却板，该第五纵向冷却板与第一金属源相对，并用于对柔性PI基材的背面进行冷却处理；

改性工艺室内靠近第二金属源处设有上下设置的第十一冷却辊和第十二冷却辊，第十一冷却辊和第十二冷却辊之间设有第六纵向冷却板，该第六纵向冷却板与第二金属源相对，并用于对柔性PI基材的正面进行冷却处理。