[实用新型]一种物理法处理多晶硅碳头料装置

说明书

本实用新型公开了一种物理法处理多晶硅碳头料装置，涉及多晶硅碳头料处理领域，包括碳料处理单元、可为喷砂枪供给磨料的喷砂驱动单元和粉尘收集单元，所述碳料处理单元为内设空腔的壳体结构，空腔内设有可对碳料表面进行喷砂处理的喷砂枪，所述喷砂驱动单元通过喷枪管与喷砂枪连接，所述粉尘收集单元通过除尘风道与碳料处理单元连通，所述除尘风道处设有可向除尘风道内抽吸粉尘的除尘驱动装置。本实用新型提供的物理法处理多晶硅碳头料装置，通过喷砂枪对含碳硅表面的多晶硅碳头料进行喷砂处理，将含碳部分与硅料剥离，使多晶硅碳头料表面的沉积硅料得到有效利用，喷砂后产生的硅粉或碳化硅颗粒可回收循环利用。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅碳头料处理领域，具体涉及一种物理法处理多晶硅碳头料装置。

背景技术

随着改良西门子法生产多晶硅技术的发展进步，大型还原炉所使用的硅芯高度更高，因此对于底部石墨支撑的稳定性及实用性要求更高，但稳固的结构必然导致石墨结构复杂或者表面积更大，同时石墨件表面沉积硅料的数量增加，此部分硅料如无法有效利用则造成能源浪费，降低产品实收率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：针对上述存在的问题，本实用新型提供一种物理法处理多晶硅碳头料装置，通过喷砂枪对含碳硅表面的多晶硅碳头料进行喷砂处理，将含碳部分与硅料剥离，使多晶硅碳头料表面的沉积硅料得到有效利用，喷砂后产生的硅粉或碳化硅颗粒可回收循环利用。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种物理法处理多晶硅碳头料装置，包括碳料处理单元、可为喷砂枪供给磨料的喷砂驱动单元和粉尘收集单元，所述碳料处理单元为内设空腔的壳体结构，空腔内设有可对碳料表面进行喷砂处理的喷砂枪，所述喷砂驱动单元通过喷枪管与喷砂枪连接，所述粉尘收集单元通过除尘风道与碳料处理单元连通，所述除尘风道处设有可向除尘风道内抽吸粉尘的除尘驱动装置。

由于采用了上述技术方案，通过喷砂驱动单元驱动喷砂枪进行喷砂，实现对含碳硅表面的多晶硅碳头料进行喷砂处理，将含碳部分与硅料剥离，喷砂后产生的硅粉或碳化硅颗粒通过粉尘收集单元回收，喷砂处理之后的多晶硅碳头料满足正品料的使用标准。

进一步地，所述喷砂驱动单元包括加压装置、可向加压装置输送磨料的磨料供给装置、以及可输送压缩空气的储气装置，所述加压装置通过喷枪管与喷砂枪连通，所述磨料供给装置连接于加压装置，所述储气装置分别连接喷枪管和加压装置。

由于采用了上述技术方案，采用吸入式喷砂，压缩空气通过储气装置将气流同时送至喷枪管和加压装置，利用压缩空气在喷枪管内高速流动形成的负压产生的引射作用，将加压装置内的磨料吸入喷砂枪内，然后随压缩空气由喷砂枪的喷嘴高速喷出，将含碳部分与硅料剥离，实现对工件表面的喷砂处理。

进一步地，所述碳料处理单元与加压装置之间设有回料装置；所述回料装置呈上大下小的漏斗状结构，所述回料装置的顶部通过第一过滤装置与碳料处理单元的底部连通，所述回料装置的底部通过阀门与加压装置连接。

由于采用了上述技术方案，磨料可经过回料装置掉落回加压装置中实现循环利用。

进一步地，所述回料装置处设有可自回料装置侧壁抽出的第二过滤装置，所述第二过滤装置平行设于第一过滤装置下方。

由于采用了上述技术方案，第二过滤装置可以抽出，清理其上的大颗粒物料，避免这些大颗粒物料经回料装置返回加压装置进行循环利用后，自喷枪管给入喷砂枪，造成喷砂枪堵塞。

进一步地，所述粉尘收集单元内设有双滤芯过滤器，所述粉尘收集单元上设有下灰口，所述双滤芯过滤器通过下灰口与集尘装置连接。

由于采用了上述技术方案，实现硅粉或碳化硅颗粒的收集和循环利用。

进一步地，所述集尘装置与磨料供给装置连接。

进一步地，所述阀门和储气装置连接并受控于脚踏开关。