[实用新型]一种双向通信的韦根接口电路有效
| 申请号： | 202222830267.6 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN218679033U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张庭 | 申请（专利权）人： | 惠州同为数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;G07C9/20 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 周永敬 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲恺高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向通信 接口 电路 | ||
1.一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，包括双向的电平转换电路、RC滤波电路以及接口防护电路；所述电平转换电路用于实现双向电平转换，所述RC滤波电路用于实现一阶无源滤波，所述接口防护电路用于对接口进行防护；实现韦根输入功能时，韦根输入信号经所述接口防护电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述电平转换电路处理后到达主控制器；实现韦根输出功能时，主控制器输出韦根信号，韦根输出信号经所述电平转换电路和所述RC滤波电路处理后，再经所述接口防护电路处理后输出。
2.根据权利要求1所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述电平转换电路采用低门限电压的NMOS管进行双向电平转换。
3.根据权利要求2所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述电平转换电路包括MOS管Q1；所述MOS管Q1的漏极与所述RC滤波电路连接，所述MOS管Q1的源极与主控制器连接，所述MOS管Q1的栅极与电源电压连接。
4.根据权利要求3所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括电阻R2和电阻R3；所述电阻R2的一端与所述RC滤波电路连接，所述电阻R2的另一端与电源电压连接；所述电阻R3的一端与电源电压连接，所述电阻R3的另一端连接于所述MOS管Q1的源极与主控制器之间。
5.根据权利要求4所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述MOS管Q1的导通门限电压小于2.0V。
6.根据权利要求4所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述接口防护电路包括半导体放电管D1；所述半导体放电管D1的一端与韦根信号输入端连接，所述半导体放电管D1的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述半导体放电管的反向截止电压为6V-10V。
8.根据权利要求7所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述RC滤波电路包括电阻R1和电容C1；所述电阻R1的一端与所述半导体放电管D1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述MOS管Q1的漏极连接；所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接；所述电容C1的一端与所述电阻R1的另一端连接，所述电容C1的另一端接地。
9.根据权利要求3所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述MOS管Q1所采用的型号为L2SK3018WT1G。
10.根据权利要求6所述的一种双向通信的韦根接口电路，其特征在于，所述半导体放电管D1所采用的型号为P0080SB-LV1。
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