[实用新型]一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护机构有效
申请号: | 202222760228.3 | 申请日: | 2022-10-20 |
公开(公告)号: | CN218125295U | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 丁锡广 | 申请(专利权)人: | 济南上京网络科技有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H05K5/02;H05K5/03 |
代理公司: | 合肥利交桥专利代理有限公司 34259 | 代理人: | 刘冉 |
地址: | 250000 山东省济南市中国(山东)自由贸易*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 消除 主动 屏蔽 天线 效应 保护 机构 | ||
本实用新型提供一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护机构,包括保护基座和保护上盖,其特征在于,所述保护基座的表面开设有缓冲槽,所述缓冲槽内活动设置有弹性推板,所述弹性推板的表面固定连接有充气密封套一,所述保护基座的两侧外壁上分别开设有两个防护槽,所述防护槽内分别固定连接有锁定扣块。本装置在对接口处进行密封的时候,通过设计两个充气密封套,夹持在接口处的两侧,由于密封套采用充气式的结构,在接口处被夹持后,由于充气式的设计,充气密封套会根据接口处的形状而发生形变,密封包裹在接口处的表面,增加保护机构与接口处表面的吻合性,使连接部位密封性更强,屏蔽效果更好。
技术领域
本实用新型属于天线效应消除技术领域,更具体地说,特别涉及一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护机构。
背景技术
芯片生产过程中主要使用离子注入和离子刻蚀,理想状况下应该正负离子总量相等,呈现电中性,但实际上并不相等。悬空的金属线和多晶硅不断吸引这些游离电荷,电荷积累到一定程度便会击穿栅氧化层,使得芯片失效,在芯片制造过程汇总连接在栅极形成的悬空不接地的结构,随着集成电路工艺不断发展,金属互连线越来越复杂,金属层数不断增多,栅氧化层厚度越来越薄,天线效应越加严重。
目前,为了减少天线效应,通常在会产生天线效应的部分设计屏蔽层,而目前厂家采用各种屏蔽差分结构,但往往在信号端子接口处屏蔽效果不够,接口处形状不一,若密封效果不好,电磁波会从此间隙辐射出去,从而形成天线效应,需要厂家有针对性的设计不同的屏蔽结构,来吻合接口处的信号屏蔽功能,此方式,生产成本不可控,通用性低;
于是,有鉴于此,针对现有的结构及缺失予以研究改良,提供一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护机构,以期达到更具有更加实用价值性的目的。
实用新型内容
为了解决信号端子接口处密封效果差,容易产生天线效应的技术问题,本实用新型提供一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护机构,其目的与功效,由以下具体技术手段所达成:
一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护机构,包括保护基座和保护上盖,其特征在于,所述保护基座的表面开设有缓冲槽,所述缓冲槽内活动设置有弹性推板,所述弹性推板的表面固定连接有充气密封套一,所述保护基座的两侧外壁上分别开设有两个防护槽,所述防护槽内分别固定连接有锁定扣块,所述锁定扣块包括锁定扣头、按压部和弹性部,所述按压部设置在弹性部的中部,所述弹性部的一端连接在防护槽的底部,且另一端通过连接部连接在锁定扣头上,所述保护上盖的底部固定连接有多个安装卡扣。
进一步的,所述缓冲槽的两侧内壁分别开设有限位槽,且限位槽内分别滑动连接有限位卡块,所述限位卡块分别固定连接在弹性推板的两侧外壁上。
进一步的,所述缓冲槽的底部开设有两个相互对称的弹簧槽,所述弹簧槽分别于弹性推板之间通过支撑弹簧固定连接。
进一步的,所述锁定扣头与安装卡扣上相互靠近的一端均为倾斜面设置,且相互远离的一侧面为直角面设计。
进一步的,所述安装卡扣与锁定扣头一一对应设置,且安装卡扣的大小与防护槽的大小相匹配。
进一步的,保护上盖上靠近保护基座的一侧面固定连接有充气密封套二。
进一步的,所述充气密封套二和充气密封套一的大小相同,且充气密封套二和充气密封套一内均填充有气体。
进一步的,所述保护基座的表面固定连接有两个相互对称的导向板,且保护上盖对应位置开设有导向槽。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
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