[实用新型]一种单晶炉下轴保护装置有效

专利信息
申请号: 202222693225.2 申请日: 2022-10-13
公开(公告)号: CN218436021U 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 李安君;许堃;吴超慧;朱厚军;罗昌萍 申请(专利权)人: 宇泽半导体(云南)有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 卓红
地址: 675000 云南省楚雄彝族*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉下轴 保护装置
【权利要求书】:

1.一种单晶炉下轴保护装置,包括托杆(1),所述托杆(1)安装在单晶炉下轴(2)上,其特征在于:所述托杆(1)的外侧上部安装有底加(4),所述底加(4)的下方设置有防漏护板(5),所述防漏护板(5)的底部安装有副石墨电极(6),所述托杆(1)的中部外侧套设有托杆保护环(3),所述托杆保护环(3)的外径满足能够自由穿过底加(4),所述托杆(1)从托杆保护环(3)的中心穿过,进而和单晶炉下轴(2)装配一起。

2.根据权利要求1所述的单晶炉下轴保护装置,其特征在于:所述托杆(1)的外侧套设有托杆护筒(11)。

3.根据权利要求2所述的单晶炉下轴保护装置,其特征在于:所述防漏护板(5)、安装在副石墨电极(6)、底加(4)、托杆护筒(11)位于单晶炉内部。

4.根据权利要求2所述的单晶炉下轴保护装置,其特征在于:所述托杆护筒(11)的内壁与托杆(1)的外壁之间缝隙小于10mm。

5.根据权利要求1所述的单晶炉下轴保护装置,其特征在于:所述托杆保护环(3)与托杆护筒(11)同心设置,且安装在防漏护板(5)的上方。

6.根据权利要求1所述的单晶炉下轴保护装置,其特征在于:所述托杆保护环(3)的内径比托杆(1)的外径大5-6mm。

7.根据权利要求1所述的单晶炉下轴保护装置,其特征在于:所述托杆保护环(3)的上沿楔形设计,总厚度8-10mm,所述托杆保护环(3)材质为等静压石墨。

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