[实用新型]掺杂工艺演示装置

说明书

本实用新型公开了一种掺杂工艺演示装置，包括有设置在上方的离子发生器模型、设置在下方的离子加速管模型、连接于离子发生器模型一侧和离子加速管模型上端之间的磁分析器模型、连接于离子加速管模型下端的基片承载台模型，所述磁分析器模型包括有设置在前侧的显示屏，所述显示屏用于播放离子束的运行轨迹的动态视频，所述动态视频用于模拟离子束被筛选的过程。本实用新型构造简单，能够用于芯片制作工艺中掺杂步骤的教学演示用途，具有较好的教学效果。

技术领域

本实用新型涉及一种掺杂工艺演示装置。

背景技术

目前，针对芯片制作工艺的了解和学习主要依靠书本内容、视频动画、教师口头讲解等方式，教学效果一般，学生难以直观的了解芯片制作的流程。

中国发明专利申请公开了一种IC制造虚拟仿真教学平台（CN111724282A），解决了IC制造工艺及技术教学难的困境，通过语音、图片、动画、视频、虚拟交互等表现形式生动展示IC制造工艺流程、制造方法、生产设备操作过程，为学生营造了一个高效的学习环境。然而该专利方案对场地设备环境等有较高的要求，布置成本较高，且不太适用于展厅场景。

在芯片制作流程中，掺杂是重要的一个环节，掺杂是将一定数量的杂质掺入到半导体材料的工艺，是为了改变半导体材料的电学特性，从而得到所需的电学参数。掺杂的方法主要有扩散和离子注入。

其中，离子注入的具体过程为：离子源通过加热分解源气体，使其成为带电离子，加上约40KV的电压，引导这些带电离子移出离子源腔体并进入磁分析器。我们可以通过设定磁分析器的磁场强弱来使得符合要求的离子通过。被选中的离子进入加速管，离子在高压下被加速，从而获得注入时所需的能量。狭缝则是用来确保离子束不会走偏。注入系统内的气压维持在低于十的负四次方帕以下，使得由气体分子引起的离子散射降至最低，再利用静电偏转板使这些离子束扫描整个晶片表面并注入半导体衬底。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种掺杂工艺演示装置，构造简单，能够用于芯片制作工艺中掺杂步骤的教学演示用途，具有较好的教学效果。

本实用新型提供了一种掺杂工艺演示装置，包括有设置在上方的离子发生器模型、设置在下方的离子加速管模型、连接于离子发生器模型一侧和离子加速管模型上端之间的磁分析器模型、连接于离子加速管模型下端的基片承载台模型，所述磁分析器模型包括有设置在前侧的显示屏，所述显示屏用于播放离子束的运行轨迹的动态视频，所述动态视频用于模拟离子束被筛选的过程。

进一步地，在所述动态视频中，用多个弧形的线条代表多个离子束，多个线条的一端连接在一起并位于显示屏的与离子发生器模型相对应的一侧，多个线条的另一端朝向显示屏的下方以及另一侧方向分散设置，其中一个线条的另一端位于显示屏的与离子加速管模型相对应的一侧。

进一步地，包括有展示架，所述展示架包括有容置槽、设置在容置槽槽口处的透明展示窗，所述离子发生器模型、磁分析器模型、离子加速管模型、基片承载台模型固定在容置槽的内壁上。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的演示装置用于模拟芯片制作工艺中的掺杂过程，磁分析器模型通过视频播放的方式能够模拟粒子束被筛选的过程，再结合与之配合连接的离子发生器模型、离子加速管模型、基片承载台模型，能够清楚的让观察者理解掺杂工艺的基本原理，不仅构造简单、成本较低，虚实结合，能够提高教学效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构图；

图2为本实用新型实施例的使用状态图。

具体实施方式