[实用新型]一种硅APD单光子探测系统

权利要求书

1.一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，包括激光器、Si-APD单光子探测器组、继电器、温度高压遥测模块、温度高压调制模块和单片机；

所述Si-APD单光子探测器组至少包括多个Si-APD单光子探测器；

所述激光器用于产生光子信号，并通过光信号驱动所述Si-APD单光子探测器组，所述Si-APD单光子探测器组通过所述继电器与所述单片机相连，所述Si-APD单光子探测器组的输出引脚与所述温度高压遥测模块的输入引脚相连，所述温度高压遥测模块的输出引脚接入所述单片机的输入引脚连接，所述单片机的输出引脚与所述温度高压调制模块的输入引脚相连，所述温度高压调制模块的输出引脚与所述Si-APD单光子探测器组的输入引脚相连；

所述温度高压遥测模块用于采集Si-APD单光子探测器组的温度数据并将采集到的温度数据传入到单片机，所述单片机判断接收到的温度数据并根据判断结果控制所述温度高压调制模块对Si-APD单光子探测器进行温度调节。

2.根据权利要求1所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述Si-APD单光子探测器组至少包括N(N2)个Si-APD单光子探测器。

3.根据权利要求1所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述Si-APD单光子探测器组接收激光器发出的光信号，所述Si-APD单光子探测器组采用FC光纤接口进行光信号接收，并通过一个透镜将FC光纤接口射出的光聚焦到Si-APD的光敏感区。

4.根据权利要求3所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述继电器通过脉冲信号控制N个Si-APD单光子探测器进行盖革模式和线性模式两种工作模式的切换。

5.根据权利要求4所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述继电器的切换时间范围为1ms～3ms。

6.根据权利要求4所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，当Si-APD单光子探测器的工作模式为线性模式时，所述Si-APD单光子探测器将光信号转换为电信号后通过数模转换器输入单片机。

7.根据权利要求6所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述数模转换器采用模拟数字转换器。

8.根据权利要求1所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述单片机通过电信号控制所述温度高压调制模块对Si-APD单光子探测器进行制冷或加热。

9.根据权利要求1所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述温度高压遥测模块的温度传感器将采集到的温度数据通过所述单片机的输入引脚输入到单片机，所述单片机驱动所述温度高压调制模块中的TEC制冷器调节所述Si-APD单光子探测器的温度。

10.根据权利要求1所述的一种硅APD单光子探测系统，其特征在于，所述温度高压调制模块中的数字模拟转换器对温度高压调制模块产生的初始高压进行调节，所述初始高压的调节范围在2V～22V。