[实用新型]一种垂直结构LED芯片

权利要求书

1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：

基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、集成金属层、外延叠层以及保护墙；所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔；第一方向垂直于所述基板，并由所述基板指向所述外延叠层；

其中，所述集成金属层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，且所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧设有用于电连接的裸露面；且，在所述集成金属层朝向所述第二型半导体层的一侧表面设有可欧姆接触并实现光反射的欧姆反射层；

所述绝缘层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，其覆盖所述集成金属层、外延叠层裸露面并延伸至所述通孔侧壁；且，在所述外延叠层的外围设有所述绝缘层的裸露面，所述保护墙设置于所述绝缘层的裸露面；

所述第一金属层层叠于所述绝缘层背离所述集成金属层的一侧表面，并嵌入所述通孔与所述第一型半导体层形成接触；且所述基板层叠于所述第一金属层背离所述外延叠层的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述保护墙环绕所述外延叠层而设置。

3.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述保护墙包括通过刻蚀形成独立的外延叠层边缘。

4.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述保护墙的表面不高于所述外延叠层的表面。

5.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述集成金属层的侧壁被所述绝缘层包覆。

6.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述欧姆反射层包括铟、锡、铝、金、铂、锌、银、钛、铅、镍中的一种或多种堆叠。

7.根据权利要求1所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述基板包括导电基板。