[实用新型]一种除去氟气中氟化氢的装置

说明书

本实用新型提供了一种除去氟气中氟化氢的装置，包括NaF低温吸附塔，所述NaF低温吸附塔的顶端连通有液氮进液管道，所述NaF低温吸附塔的进口端连通有氟气进气管道，所述NaF低温吸附塔的出口端连通有氟气出气管道，所述NaF低温吸附塔的底端连通有氮气出气管道。本实用新型通过NaF吸附球对氟气中的氟化氢进行吸附处理，同时通过液氮控制NaF低温吸附塔内的温度，通过低温来提高NaF吸附球的吸附效率，可满足氟气指标要求。本实用新型通过氮气进气管道可向NaF低温吸附塔通入氮气，通过氮气加热器将氮气加热至高温，高温氮气对NaF吸附球进行活化再生，提高了NaF吸附球使用寿命，节约了成本。

技术领域

本实用新型属于氟化工技术领域，具体涉及一种除去氟气中氟化氢的装置。

背景技术

高纯氟气(F₂)是一种性质非常活泼的气体，具有强氧化性，由于其反应特性而在半导体行业作为一种蚀刻气体或清洁气体用于制造光电池和液晶显示器的TFT(薄膜晶体管)。同时，作为准分子激光器的一种气体，氟激光器也广泛应用于半导体行业。同时利用F₂作为化学气相沉积(CVD)反应腔室的清洗剂，与NF₃相比，F₂具有更强的反应活性且不会造成温室效应。用于此目的的氟气随着国内半导体行业的蓬勃发展，需求量也在大幅增加。为了满足电子、光伏行业的需要，需要一种高纯度氟气。例如在半导体行业，需要纯度达到99.9％以上甚至99.99％的高纯度氟气。具体来说，对氟化氢等杂质的要求也越来越高，其中99.9％氟气中氟化氢含量要求至少低于200ppm，对氟化氢的去除提出了更高的要求。

现有的电解生产氟气的方法，电解产生的氟气含有大量氟化氢，含量约为5％～10％左右。工业上常用去除氟化氢的方法是采用活化后的球状氟化钠吸附纯化，吸附后的氟气中氟化氢含量大于1000ppm，离高纯氟气的要求还相差甚远，必须经过进一步纯化处理后，方可满足电子行业的需要。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种除去氟气中氟化氢的装置，该装置结构简单，使用效果好，可重复利用，可推广应用。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种除去氟气中氟化氢的装置，其特征在于，包括NaF低温吸附塔，所述NaF低温吸附塔的侧端设置有温度计，所述NaF低温吸附塔的顶端连通有液氮进液管道，通过向NaF低温吸附塔内加入液氮来控制塔内温度，塔内温度控制在-60℃～-90℃，所述NaF低温吸附塔的进口端连通有氟气进气管道，待处理的含有氟化氢的氟气沿氟气进气管道进入NaF低温吸附塔，所述NaF低温吸附塔的出口端连通有氟气出气管道，所述NaF低温吸附塔的底端连通有氮气出气管道，用于排出冷氮气。

优选地，所述氟气进气管道靠近所述NaF低温吸附塔的部分连通有氮气进气管道，所述氮气进气管道上设置有氮气加热器，氮气加热器的侧端设置有温度计，通过氮气加热器将氮气进气管道内的氮气加热至200℃～300℃。

优选地，所述NaF低温吸附塔的填充物为NaF吸附球，所述NaF吸附球以多孔球为骨架，通过NaF吸附球吸附氟气中的氟化氢。

优选地，所述液氮进液管道、氮气进气管道、氟气进气管道、氟气出气管道和氮气出气管道上均设置有阀门。

优选地，所述NaF低温吸附塔、液氮进液管道、氮气进气管道、氟气进气管道、氟气出气管道和氮气出气管道采用碳钢、不锈钢或蒙乃尔材质加工制成，防氟化氢腐蚀。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

1、本实用新型通过NaF吸附球对氟气中的氟化氢进行吸附处理，同时通过液氮控制NaF低温吸附塔内的温度，通过低温来提高NaF吸附球的吸附效率，可满足氟气指标要求。

2、本实用新型通过氮气进气管道可向NaF低温吸附塔通入氮气，通过氮气加热器将氮气加热至高温，高温氮气对NaF吸附球进行活化再生，提高了NaF吸附球使用寿命，节约了成本。