[实用新型]一种防引脚形变的场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 202222235419.8 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN218482221U 公开(公告)日: 2023-02-14
发明(设计)人: 杨剑波 申请(专利权)人: 东莞市佳骏电子科技有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/48;H01L29/772
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 何新华
地址: 523808 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 引脚 形变 场效应 晶体管
【说明书】:

实用新型涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种防引脚形变的场效应晶体管,包括:封装结构、引脚、保护罩和滑动复位机构,所述封装结构的外径面与所述保护罩相配合,所述保护罩通过滑动复位结构滑动连接在所述封装结构两侧,所述保护罩底部开设有引脚孔,所述引脚孔与所述引脚相配合,所述引脚固定安装在所述封装结构底部。通过将保护罩滑动连接在场效应晶体管的封装结构表面,保护罩可在场效应晶体管表面伸缩滑动,在初始状态下保护罩罩设在引脚表面以保护引脚不受破坏,在安装状态下保护罩滑动至封装结构上,不影响安装。并且在拆卸过程当中能够起到复位回弹作用,保证时刻保护引脚,并且能够起到导柱的作用,方便对准安装。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种防引脚形变的场效应晶体管。

背景技术

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。

现有技术当中,常规得场效应晶体管在使用时,由于引脚得外部没有设置防护结构,引脚可能会与其他物体碰撞,造成弯折的现象,在引脚安装过程当中也有可能出现对位不准确从而导致的引脚损坏,进而影响晶体管本体的正常使用。而常规技术采用橡胶保护罩套设在场效应晶体管表面,能够起到的作用仅仅是安装之前,在安装过程当中需要将橡胶保护罩拨离,还是无法解决对位不准的问题。

有鉴于此,亟待设计出一种防引脚形变的场效应晶体管,通过将保护罩滑动连接在场效应晶体管的封装结构表面,保护罩可在场效应晶体管表面伸缩滑动,在初始状态下保护罩罩设在引脚表面以保护引脚不受破坏,在安装状态下保护罩滑动至封装结构上,不影响安装。并且在拆卸过程当中能够起到复位回弹作用,保证时刻保护引脚,并且能够起到导柱的作用,方便对准安装。

实用新型内容

为了解决以上现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种防引脚形变的场效应晶体管,通过将保护罩滑动连接在场效应晶体管的封装结构表面,保护罩可在场效应晶体管表面伸缩滑动,在初始状态下保护罩罩设在引脚表面以保护引脚不受破坏,在安装状态下保护罩滑动至封装结构上,不影响安装。并且在拆卸过程当中能够起到复位回弹作用,保证时刻保护引脚,并且能够起到导柱的作用,方便对准安装。

为了实现上述目标,本实用新型的技术方案为:一种防引脚形变的场效应晶体管,包括:封装结构、引脚、保护罩和滑动复位机构,所述封装结构的外径面与所述保护罩相配合,所述保护罩通过滑动复位结构滑动连接在所述封装结构两侧,所述保护罩底部开设有引脚孔,所述引脚孔与所述引脚相配合,所述引脚固定安装在所述封装结构底部。

进一步的,所述保护罩包括:滑动安装部、罩设部和引脚孔,所述滑动安装部设置在所述保护罩两侧,所述罩设部跨接在所述滑动安装部之间,所述罩设部上沿着水平方向开设有若干散热翅孔,所述散热翅孔内固定安装有金属散热翅片,所述引脚孔开设在所述罩设部侧壁面。

进一步的,所述引脚孔两侧固定安装有安装引导柱。

进一步的,所述滑动复位机构包括:滑动檐、滑动座、导向杆和复位弹簧,所述滑动檐固定安装在所述封装结构两侧壁面,所述滑动檐内沿竖直方向安装有导向杆,所述滑动座滑动安装在所述滑动檐外径面,所述滑动座通过复位弹簧套接在所述导向杆外径面,所述滑动座固定安装在所述保护罩的所述滑动安装部内径面。

进一步的,所述滑动檐顶面和底面均开设有安装口,所述滑动座内径面设置有限位卡,所述限位卡卡设在所述安装口内,所述限位卡的末端固定安装有复位弹簧,所述复位弹簧的末端与所述滑动檐内径面末端固定连接。

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