[实用新型]一种用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备

权利要求书

1.一种用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备，其特征在于，包括有：

垂直式腔体结构的反应室(10)，作为二维材料制备容器；

至少一个设置于反应室(10)上的加热装置(20)，用于对反应室(10)的可控加热，依据二维材料制备所需可布置成单温区、双温区或多温区结构；

至少一个连通于反应室(10)的气路系统(40)，用于向反应室(10)提供不同气压的一种或多种气体；

设置于反应室(10)内的样品生长及传递件(50)，用于二维材料的均匀气相沉积制备及样品传输取放；

布置于反应室(10)顶部的真空系统(60)，用于对反应室(10)抽真空并维持反应室(10)的真空环境。

2.如权利要求1所述的用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备，其特征在于：所述反应室(10)的外围设置有用于对反应室(10)外壁进行降温的水冷系统(30)。

3.如权利要求1所述的用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备，其特征在于：所述样品生长及传递件(50)包括有：

送样杆(501)和样品托(502)，用于样品在反应室(10)内的传输取放；

布置于样品托(502)上的衬底(503)，以使二维材料在衬底(503)表面的成核与生长；

设置于反应室(10)内腔下部并从下至上向衬底(503)表面供给制备二维材料所需前驱体的反应前驱体；

其中，样品生长及传递件(50)内置有用于驱动样品托(502)旋转的驱动件，以使二维材料在衬底(503)表面均匀制备。

4.如权利要求3所述的用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备，其特征在于：所述反应室(10)内还设有用于激发气态物质形成等离子体以大幅降低反应温度的等离子体系统(70)，且等离子体系统(70)设置于衬底(503)周围。

5.如权利要求4所述的用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备，其特征在于：所述等离子体系统(70)的射频电源功率位于0-500W之间。

6.如权利要求1所述的用于二维材料制备的垂直式化学气相沉积装备，其特征在于：所述反应室(10)内的真空度位于常压至1.0×10^-5Pa之间。