[实用新型]一种硅基三维集成扇出型封装结构

权利要求书

1.一种硅基三维集成扇出型封装结构，其特征在于，该封装结构是由多个硅基封装单元复合而成，或者是由硅基封装单元与芯片塑封单元复合而成；

所述硅基封装单元包括硅基本体，该硅基本体上设有凹槽，凹槽内设有埋入芯片；硅基本体的上表面上设有与所述埋入芯片电连接的上金属线路层；硅基本体上设有贯穿的通孔；该通孔中设有向硅基本体的下表面延伸的线路复合结构；该线路复合结构与所述上金属线路层电连接；

所述芯片塑封单元包括塑封芯片和塑封层；塑封层包封于所述塑封芯片上；塑封芯片与所述埋入芯片电连接；

多层硅基封装单元之间或硅基封装单元与芯片塑封单元之间通过电导通结构复合连接。

2.根据权利要求1所述的一种硅基三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基本体的上表面上设有具有开口的上绝缘层，所述上金属线路层设置于该上绝缘层上，且通过上绝缘层的开口与所述埋入芯片电连接；上金属线路层上覆盖有上钝化层。

3.根据权利要求1所述的一种硅基三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述线路复合结构包括下绝缘层、下金属线路层和填充层；下绝缘层覆盖于硅基本体的通孔的孔壁上，并向硅基本体的下表面延伸；下金属线路层设置于下绝缘层上；填充层填充于硅基本体的通孔中。

4.根据权利要求3所述的一种硅基三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基本体的下方还设有覆盖在所述下金属线路层上的下钝化层，该下钝化层上设有开口，下钝化层的开口处设有所述的电导通结构。

5.根据权利要求1所述的一种硅基三维集成扇出型封装结构，其特征在于，所述芯片塑封单元的数量为一个或两个；当芯片塑封单元为两个时，硅基封装单元的上侧和下侧分别连接一芯片塑封单元。

6.根据权利要求5所述的一种硅基三维集成扇出型封装结构，其特征在于，位于外侧的一个硅基封装单元或位于外侧的一个芯片塑封单元通过电导通结构将信号导出。