[实用新型]单片式湿法蚀刻系统有效
| 申请号: | 202222130976.3 | 申请日: | 2022-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN218274530U | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
| 发明(设计)人: | 李雨庭;王尧林;朱焱均;赵大国;燕强;刘康华 | 申请(专利权)人: | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 张瑞 |
| 地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单片 湿法 蚀刻 系统 | ||
本实用新型提供了一种单片式湿法蚀刻系统,涉及晶圆蚀刻技术领域,解决了现有技术的湿法蚀刻系统中的蚀刻液不均匀的喷涂在晶圆上,引起晶圆各个位置的蚀刻均匀性不同,造成蚀刻损伤的技术问题。该装置包括晶圆承载部件、蚀刻液供应系统、控制器、压制件和提升机构,压制件位于晶圆承载部件的上方,提升机构与压制件相连接,提升机构与控制器相连接且控制器能控制提升机构推动压制件向靠近或远离晶圆承载部件的方向移动,蚀刻液供应系统与控制器相连接;压制件的中部设置有安装孔,蚀刻液供应系统上的喷嘴设置在安装孔内,压制件的表面上设置有向内凹陷的分液槽,分液槽与安装孔相连通,所有分液槽沿安装孔的周向方向分布。
技术领域
本实用新型涉及晶圆蚀刻技术领域,尤其是涉及一种单片式湿法蚀刻系统。
背景技术
如图1所示,现有的湿法蚀刻系统包括晶圆承载部件1、蚀刻液供应系统2以及控制器3。晶圆承载部件1包括晶圆承载台11、支撑底座12和旋转机构,晶圆承载台11通过负压吸附或用夹具固定晶圆7,支撑底座12用于支撑晶圆承载台11,并且通过旋转机构带动晶圆承载台11旋转;蚀刻液供应系统2包括喷嘴21、蚀刻液供应源22以及控制阀23,喷嘴21、控制阀23和蚀刻液供应源22通过管道相连通,控制阀23与控制器3连接,控制器3可以控制控制阀23的打开和关闭,从而控制蚀刻液供应源22内的蚀刻液8通过喷嘴21将蚀刻液8开始或停止喷涂到晶圆7上。
如图2所示,在蚀刻液8平铺整个晶圆7的待蚀刻表面时,需要消耗过多的时间,增加蚀刻液8的用量;现有的湿法蚀刻系统中的蚀刻液8不均匀的喷涂在晶圆7上,引起晶圆7各个位置的蚀刻均匀性不同,造成蚀刻损伤;该系统回收形式单一,通过离心力作用将晶圆7上的残液甩出,这样会造成蚀刻液8的浪费,同时未甩出的残液可能会造成晶圆7表面的二次刻蚀或者其他污染。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供单片式湿法蚀刻系统,以解决现有技术的湿法蚀刻系统中的蚀刻液不均匀的喷涂在晶圆上,引起晶圆各个位置的蚀刻均匀性不同,造成蚀刻损伤的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
为实现上述目的,本实用新型提供了以下技术方案:
本实用新型提供的一种单片式湿法蚀刻系统,包括晶圆承载部件、蚀刻液供应系统、控制器、压制件和提升机构,其中,所述压制件位于所述晶圆承载部件的上方,所述提升机构与所述压制件相连接,所述提升机构与所述控制器相连接且所述控制器能控制所述提升机构推动所述压制件向靠近或远离所述晶圆承载部件的方向移动,所述蚀刻液供应系统与所述控制器相连接;
所述压制件的中部设置有安装孔,所述蚀刻液供应系统上的喷嘴设置在所述安装孔内,所述压制件的表面上设置有向内凹陷的分液槽,所述分液槽与所述安装孔相连通,所述分液槽的个数为多个,所有所述分液槽沿所述安装孔的周向方向分布。
可选地,所述压制件的表面上设置有向外突出的搅液块,所述搅液块的个数为多个。
可选地,所述压制件为圆盘型结构。
可选地,所述压制件的直径大于或等于晶圆的直径。
可选地,还包括回收系统,所述回收系统包括吸嘴、回收槽、泵体和阀体,所述吸嘴与所述回收槽通过吸液管道相连通,所述回收槽与所述蚀刻液供应系统通过出液管道相连通,所述泵体设置在所述吸液管道上,所述阀体设置在所述出液管道上,所述泵体和所述阀体均与所述控制器相连接,所述吸嘴设置在所述压制件上。
可选地,所述压制件上设置有多个配合孔,所述吸嘴的个数与所述配合孔的个数一致,所述吸嘴设置在所述配合孔中。
可选地,所有所述配合孔沿所述安装孔的周向方向分布。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





