[实用新型]太阳能电池及光伏组件有效
申请号: | 202222078085.8 | 申请日: | 2022-08-05 |
公开(公告)号: | CN218101278U | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 张彼克;廖光明;张临安;金井升;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/048;H01L31/05 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
基底;
位于所述基底第一表面且在沿远离所述基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层,所述掺杂导电层至少包括:多个间隔排布的主体部,以及位于相邻的两个所述主体部之间的至少一个连接部,相邻的两个所述主体部通过所述连接部连接;
多个间隔排布的第一电极,所述第一电极沿第一方向延伸,所述第一电极设置于所述主体部远离所述基底的一侧,并与所述主体部电连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述连接部为多个,多个所述连接部阵列排布,包括:沿第二方向间隔排布的多列连接部,其中,每一列连接部中的多个连接部沿第一方向间隔排布,且沿第二方向相邻的两列所述连接部之间具有至少一条所述第一电极,所述第二方向垂直于所述第一方向。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,一列所述连接部与相邻的一列所述连接部沿所述第一方向错位排布。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,一列所述连接部中的每一所述连接部与相邻的一列所述连接部中的每一所述连接部一一对应,且相对应的两个所述连接部沿所述第二方向间隔排布。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:多个间隔排布的第二电极,所述第二电极沿第二方向延伸,并电连接沿所述第二方向间隔排布的多个所述第一电极,所述第二方向垂直于所述第一方向。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二电极与所述连接部间隔排布;或者,所述连接部在所述基底上的投影与所述第二电极在所述基底上的投影至少部分重合。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底包括外围区域以及中心区域,位于最外侧的所述第二电极的外侧为所述外围区域,所述基底中除所述外围区域之外的区域为所述中心区域,其中,位于所述外围区域的所述连接部在所述第一方向上的间距小于位于所述中心区域的所述连接部在所述第一方向的间距。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述中心区域的每一列所述连接部中,每一所述连接部之间的间距为0.01mm~20mm;所述外围区域中的每一列所述连接部中,每一所述连接部之间的间距为0.005mm~18mm。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,还包括:延伸部,所述延伸部位于沿所述第一方向间隔排布的相邻的所述连接部之间,并与相邻的两个所述连接的侧面电接触,且所述延伸部在所述基底上的投影与所述第二电极在所述基底上的投影部分重合。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,在沿所述第二方向上,所述延伸部的宽度小于或等于相邻的所述第一电极之间的间距。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述连接部的顶面低于或齐平于所述主体部的顶面。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其特征在于,所述连接部的顶面具有陷光结构。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池,其特征在于,所述陷光结构为金字塔结构。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池,其特征在于,所述陷光结构朝向所述基底凹陷。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂导电层仅包括所述主体部以及所述连接部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司,未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222078085.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大电流储能插头
- 下一篇:一种弱电施工用便携式布线器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的