[实用新型]一种中子照相装置

说明书

本实用新型公开了一种中子照相装置，包括：时间测量系统，用于获取外部接口提供的触发信号；位置测量系统，包括具有ROI读出功能的CMOS传感器；信号控制系统，与时间测量系统和位置测量系统分别电连接，信号控制系统在触发信号的控制下控制CMOS传感器的工作状态，CMOS传感器获取中子荧光投影图像后，将中子荧光投影图像中与ROI区域对应的像素读出并发送至信号控制系统。本实用新型可以达到纳秒量级下的快门触发，提高时间分辨率，而且利用ROI读出的方式也改进了计数率。该装置的中子照相预期达到时间分辨率、位置分辨率、计数率等性能指标显著提高，可以快速地对数据读出。

技术领域

本实用新型涉及中子探测技术领域，特别涉及一种中子照相装置。

背景技术

随着中子散射谱仪不断升级和应用规模的扩大，今后对大面积位敏型中子探测器的需求将越来越多。在中子通量不断增加的背景下，探测器读出通道或像素单元的数目也急剧增加，而信号读出环节中的高精度位置测量和高读出计数率存在冲突。

基于CMOS传感器的中子探测器也可以称之为中子照相装置，传统的中子照相装置位置分辨率高但是采用单一读出方式，不但时间分辨率较低，而且在大中子通量下的计数率也不理想。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种中子照相装置，用以解决现有技术中中子照相装置存在时间分辨率较低和计数率不理想的问题。

一方面，本实用新型实施例提供了一种中子照相装置，包括：

时间测量系统，用于获取外部接口提供的触发信号；

位置测量系统，包括具有ROI读出功能的CMOS传感器；

信号控制系统，与时间测量系统和位置测量系统分别电连接，信号控制系统在触发信号的控制下控制CMOS传感器的工作状态，CMOS传感器获取中子荧光投影图像后，将中子荧光投影图像中与ROI区域对应的像素读出并发送至信号控制系统。

本实用新型中的一种中子照相装置，具有以下优点：

可以达到纳秒量级下的快门触发，提高时间分辨率。而且利用ROI读出的方式也改进了计数率。该装置的中子照相预期达到时间分辨率、位置分辨率、计数率等性能指标显著提高，可以快速地对数据读出。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种中子照相装置的组成示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种中子照相装置的硬件电路连接示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1-2为本实用新型实施例提供的一种中子照相装置的组成示意图。本实用新型实施例提供了一种中子照相装置，包括：

时间测量系统，用于获取外部接口提供的触发信号；

位置测量系统，包括具有ROI读出功能的CMOS传感器；

信号控制系统，与时间测量系统和位置测量系统分别电连接，信号控制系统在触发信号的控制下控制CMOS传感器的工作状态，CMOS传感器获取中子荧光投影图像后，将中子荧光投影图像中与ROI区域对应的像素读出并发送至信号控制系统。