[实用新型]一种洗涤系统有效
| 申请号: | 202221998111.2 | 申请日: | 2022-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN218307186U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
| 发明(设计)人: | 刘启凯;黄丹;姜丽;徐应同 | 申请(专利权)人: | 西原环保(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | B01D53/78 | 分类号: | B01D53/78;B01D53/68 |
| 代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人: | 李杉杉 |
| 地址: | 201204 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 洗涤 系统 | ||
本实用新型属于环保技术领域,公开了一种用于处理多晶硅生产副产物的洗涤系统。该洗涤系统包括:化学洗涤塔,化学洗涤塔包括第一壳体,位于第一壳体内的自下而上依次设置的碱液层、第一填料层以及第一循环喷淋层,水洗塔,化学洗涤塔的出气口与水洗塔的进气口相连通,以及风机,风机与水洗塔的出气口相连通。其中,碱液层包括自下而上依次设置的储泥层和反应层,用于输送待处理气体的管道经化学洗涤塔的进气口插入至储泥层与反应层的交界处,第一循环喷淋层与反应层之间通过循环泵送管路相连。本实用新型的洗涤系统能够更好地处理多晶硅生产工艺中产生的副产物。
技术领域
本实用新型涉及环保技术领域,具体涉及一种用于处理多晶硅生产副产物的洗涤系统。
背景技术
目前太阳能光伏行业和半导体行业发展迅速,多晶硅是太阳能产业和半导体产业重要的工业原料。SiCl4(Silicon tetrachloride,简称STC)作为多晶硅生产工艺中产量最大的副产物,在遇到潮湿空气时会立即生成硅酸和氯化氢气体,具有很强的刺激性,属于有毒有害物质。
在现有技术中,高浓度的SiCl4一般可以回收再利用,用于制备气相白炭黑、有机硅产品、三氯氢硅等产品,经济效益较高。但剩余的少量低浓度的 SiCl4由于回收成本较高而通常采用就地处理的方式进行处理,这就给周围的生态环境和操作人员带来了极大的安全隐患。此外,多晶硅生产工艺中产生的副产物还存在Cl2、HCl等酸性气体,这些酸性气体的直接排放也会给周围的生态环境和操作人员带来不小的安全隐患。
实用新型内容
为了更好地处理多晶硅生产工艺中产生的副产物,尤其是低浓度的SiCl4废液以及Cl2、HCl等酸性气体,本实用新型提出了一种洗涤系统。
根据本实用新型的洗涤系统,包括:化学洗涤塔,化学洗涤塔包括第一壳体,位于第一壳体内的自下而上依次设置的碱液层、第一填料层以及第一循环喷淋层,水洗塔,化学洗涤塔的出气口与水洗塔的进气口相连通,以及风机,风机与水洗塔的出气口相连通,其中,碱液层包括自下而上依次设置的储泥层和反应层,用于输送待处理气体的管道经化学洗涤塔的进气口插入至储泥层与反应层的交界处,第一循环喷淋层与反应层之间通过循环泵送管路相连。
进一步地,化学洗涤塔的进气口设置在第一壳体上的位于反应层与第一填料层之间的区域,管道的出口位于储泥层与反应层的交界处,管道的出口的轴线与水平面垂直。
进一步地,循环泵送管路包括与第一循环喷淋层相连的进液端和与反应层相连的出液端,出液端与反应层的顶面之间的垂直距离大于出液端与反应层的底面之间的垂直距离。
进一步地,储泥层的高度、出液端与反应层的底面之间的垂直距离,以及出液端与反应层的顶面之间的垂直距离依次增大。
进一步地,第一壳体的位于反应层与第一填料层之间的区域还设置有补风阀。
进一步地,循环泵送管路包括连接在第一循环喷淋层与反应层之间的第一管路本体和设置在管路本体上的第一喷淋泵装置,化学洗涤塔还包括连通在第一喷淋泵装置与第一循环喷淋层之间的碱液添加装置。
进一步地,洗涤系统还包括控制系统,水洗塔的出气口处设置有用于监测排放气体的浓度的在线监测设备,反应层内设置有第一PH计,控制系统构造为能够在在线监测设备检测到的气体浓度值大于预设气体浓度值,或第一PH 计显示的PH值小于预设PH值时,控制碱液添加装置开启。
进一步地,第一壳体的底部设置有排泥口,排泥口处连通有排泥泵,排泥泵与排泥口之间设置有排泥阀,反应层内还设置有污泥浓度计,控制系统还构造为能够在污泥浓度计检测到的污泥浓度值大于预设污泥浓度值时,控制排泥阀和排泥泵开启。
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