[实用新型]一种模块化倒极除垢电路

说明书

本实用新型涉及加热除垢电路领域，具体说是一种模块化倒极除垢电路，包括两个PMOS管Q1、Q3以及两个NMOS管Q2、Q4，所述PMOS管Q1、Q3和NMOS管Q2、Q4之间组成H桥电路，PMOS管Q1、Q3的源极连接电源VCC，两个PMOS管Q1、Q3的漏极分别与两个NMOS管Q2、Q4的漏极连接，NMOS管Q2、Q4的源极连接有控制信号CS4和CS3，PMOS管Q1、Q3分别通过NPN三级管Q6、Q7连接控制信号CS3和CS4。为了防止水垢沉积在阴极，定期地改变电极的极性（即倒极），即将原来的阳极变为阴极，原来的阴极变为阳极，这样可阻止水垢沉积在阴极，提高净化效果以及净化效率。

技术领域

本实用新型涉及加热除垢电路领域，具体说是一种模块化倒极除垢电路。

背景技术

自来水是一种经过标准化处理得到符合饮用标准的硬水，而水的硬度是由其中的钙镁含量决定的。水触媒技术本质上就是一种以饮用自来水为媒介消杀果蔬、肉类、海鲜等附带的农残、有害物质的净化装置，长期使用这种硬水，会使电解水的阴极出现结垢的现象，这样会影响净化效果以及净化效率。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于克服背景技术中所描述的缺陷，从而实现避免阴极出现结垢的现象，即为了防止水垢沉积在阴极，保持水触媒电极表面的洁净度，使水触媒净化效果处于最优状态，延长水触媒电极使用寿命。

为实现上述发明目的，本实用新型的技术方案是：模块化倒极除垢电路，包括两个PMOS管Q1、Q3以及两个NMOS管Q2、Q4，所述PMOS管Q1、 Q3和NMOS管Q2、Q4之间组成H桥电路，PMOS管Q1、Q3的源极连接电源VCC，两个PMOS管Q1、Q3的漏极分别与两个NMOS管Q2、Q4的漏极连接，NMOS管Q2、Q4的源极连接有控制信号CS4和CS3，PMOS管Q1、Q3 分别通过NPN三级管Q6、Q7连接控制信号CS3和CS4。

在上述模块化倒极除垢电路中，所述电源VCC上设置有保险丝FS2，对整个电路具有保护的作用。

在上述模块化倒极除垢电路中，所所述电源VCC通过电阻R27、R28分别与PMOS管Q1、Q3的栅极连接；电阻R27、R28的电源输出端分别与NPN三级管Q6、Q7的集电极连接，NPN三级管Q6、Q7的发射极接地；NPN三级管 Q6、Q7的基极分别通过电阻R27、R28接地，且NPN三级管Q6、Q7的基极分别通过电阻R25、R26连接控制信号CS3和CS4。

在上述模块化倒极除垢电路中，所述NMOS管Q2、Q4的源极接地，NMOS 管Q2、Q4的栅极分别通过电阻R26、R27接地。

在上述模块化倒极除垢电路中，所述NMOS管Q2、Q4的栅极分别通过电阻R24、R25连通控制信号CS4和CS3。

本实用新型的模块化倒极除垢电路的有益效果：

本实用新型的模块化倒极除垢电路通过设置两个PMOS管Q1、Q3以及两个NMOS管Q2、Q4，通过控制PMOS管合NMOS管导通状态，可以实现输出正负极的更换，即定期地改变电极的极性(即倒极)，即将原来的阳极变为阴极，原来的阴极变为阳极，这样可阻止水垢沉积在阴极，提高净化效果以及净化效率。

附图说明

图1是本实用新型的模块化倒极除垢电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体的实施方式对本实用新型的模块化倒极除垢电路做更加详细的描述。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。