[实用新型]一种线性ICP等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202221891558.X | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN217733262U | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;张武;刘群 | 申请（专利权）人： | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518122 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 线性 icp 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述线性ICP等离子体处理装置包括腔室、进气单元、真空单元、加热单元、承载单元、等离子体源、供电单元和阻抗匹配单元；
所述进气单元和真空单元分别独立地贯穿设置于所述腔室的表面；
所述加热单元设置于所述腔室的内部或外部；
所述承载单元和等离子体源分别独立地设置于所述腔室的内部；
所述供电单元和阻抗匹配单元设置于所述腔室的外部；
所述等离子体源包括嵌套组合的绝缘介质管和电感线圈；
所述绝缘介质管的表面设置有进气孔和等离子体喷射孔；
所述电感线圈的两端连接于所述供电单元和阻抗匹配单元。
2.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述进气单元贯穿设置于所述腔室的上部，所述真空单元贯穿设置于所述腔室的下部。
3.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述绝缘介质管包括石英玻璃管。
4.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔和等离子体喷射孔分别独立地设置于所述电感线圈的匝缝中。
5.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔和等离子体喷射孔分别独立地为至少2个开孔。
6.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔的开孔形状包括圆孔或狭缝。
7.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体喷射孔的开孔形状包括狭缝。
8.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述电感线圈包括铜管。
9.根据权利要求1所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述绝缘介质管上靠近等离子体喷射孔的同一侧设置有防护板罩。
10.根据权利要求9所述的线性ICP等离子体处理装置，其特征在于，所述防护板罩设置于绝缘介质管和电感线圈的外表面。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
