[实用新型]一种具有上料结构的单晶制绒设备有效
申请号: | 202221662608.7 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN217983291U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 石益军 | 申请(专利权)人: | 无锡鼎炻电子工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18;C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨强 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 结构 单晶制绒 设备 | ||
本实用新型公开的属于加工设备技术领域,具体为一种具有上料结构的单晶制绒设备,所述设备外壳的前侧壁通过铰链活动连接有翻盖一和翻盖二,所述设备外壳的侧壁通过螺栓固定连接所述上料泵,所述上料泵的侧壁通过螺丝固定连接有连接板,所述连接板的侧壁通过螺丝固定连接有连接耳,所述连接耳的侧壁通过螺丝固定连接所述缓冲板,该种具有上料结构的单晶制绒设备,设置携带连接板的上料泵,连接板的侧面利用连接耳组合缓冲板,在上料泵运作过程中,可有效的利用携带缓冲弹簧的缓冲板与安装板进行组合式缓冲,以保证上料过程的稳定,设置携带辅助板的安装板,可有效的配合携带外接管的上料管组合,增加组合收纳效果。
技术领域
本实用新型涉及加工设备技术领域,具体为一种具有上料结构的单晶制绒设备。
背景技术
硅太阳能电池是指以硅为基体材料的太阳能电池。按硅材料的结晶形态,可分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池,其中就包含有单晶制绒,单晶制绒是采用单晶硅片,利用碱溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀,制成绒面。反应原理如下:化学反应方程式。
硅太阳能电池和其他大多数硅电子器件相比,有其特殊的设计和材料要求。为了获得高能量转换效率,硅太阳能电池不仅需要几乎理想的硅表面钝化,而且体材料特性也必须具有均匀的高品质。这是因为一些波长的光必须在硅中传播几百微米才能被吸收,其产生的载流子还必须仍然能够被电池收集。
现有的单晶制绒机已经日益成熟,但是在上料过程中依然存在着弊端,如在上料泵运作过程中,缺少有效的缓冲方式,降低了上料过程的稳定,同时对于上料管也缺少有效的组合收纳效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有上料结构的单晶制绒设备,以解决上述背景技术中提出的现有的单晶制绒机已经日益成熟,但是在上料过程中依然存在着弊端,如在上料泵运作过程中,缺少有效的缓冲方式,降低了上料过程的稳定,同时对于上料管也缺少有效的组合收纳效果的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
设备外壳,所述设备外壳的前侧壁通过铰链活动连接有翻盖一和翻盖二;
上料泵,所述设备外壳的侧壁通过螺栓固定连接所述上料泵,所述上料泵的侧壁通过螺丝固定连接有连接板,所述连接板的侧壁通过螺丝固定连接有连接耳;
缓冲板,所述连接耳的侧壁通过螺丝固定连接所述缓冲板,所述缓冲板的侧壁焊接有缓冲弹簧;
安装板,所述缓冲弹簧的侧壁焊接所述安装板,所述安装板的侧壁通过螺丝固定连接有辅助板,所述辅助板的侧壁卡扣连接有上料管,所述上料管的输出端通过法兰连接所述上料泵。
优选的,所述设备外壳的内腔底部通过螺丝固定连接有单晶制绒组件,所述翻盖一的前侧壁镶嵌有数据显示板,所述翻盖二的前侧壁一体成型连接有散热格栅。
优选的,所述缓冲板的侧壁一体成型预留有与所述上料管相匹配的主孔,所述安装板的侧壁一体成型预留有与所述上料管相匹配的副孔。
优选的,所述安装板的顶部通过螺丝固定连接有侧板一,所述安装板的底部通过螺丝固定连接有侧板二。
优选的,所述上料管的顶部螺纹连接有外接管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该种具有上料结构的单晶制绒设备,设置携带连接板的上料泵,连接板的侧面利用连接耳组合缓冲板,在上料泵运作过程中,可有效的利用携带缓冲弹簧的缓冲板与安装板进行组合式缓冲,以保证上料过程的稳定,设置携带辅助板的安装板,可有效的配合携带外接管的上料管组合,增加组合收纳效果。
附图说明
图1为本实用新型具有上料结构的单晶制绒设备整体示意图;
图2为本实用新型具有上料结构的单晶制绒设备上料泵示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造