[实用新型]等离子体源机构

说明书

本实用新型涉及一种等离子体源机构，包括：壳体，对接所述真空腔体设备的真空槽；射频能源辐射单元，位于所述壳体内部，具有同平面设置且面向所述真空槽内的多个线圈；电源，连接所述射频能源辐射单元，提供高频电力至所述多个线圈；第一磁体，环设在所述多个线圈的外围部位，所述第一磁体配置位置与所述多个线圈并行，所述多个线圈具有沿所述多个线圈面延伸的延伸区域，所述第一磁体至少部分位于所述延伸区域内。本实用新型等离子体源机构有利于线圈外围部位磁场效应的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及磁体装配技术领域，特别是涉及一种等离子体源机构。

背景技术

在半导体制造领域，采用等离子体工艺，对工件蚀刻、清洗、注入、镀膜等工艺制程时，需要通过等离子体源机构进行加工。

射频能源辐射单元为等离子体源机构一个重要组件，用于提供磁效应，射频辐射单元通常由多个线盘排列而成，多个线盘在提供磁效应时，线盘最外围的磁效应分配不均匀，在利用分配不均匀磁效应进行加工时，容易造成加工质量差。

实用新型内容

基于此，有必要针对线盘最外围的磁效应分配不均匀的问题，提供一种等离子体源机构，包括：

壳体，对接所述真空腔体设备的真空槽；

射频能源辐射单元，位于所述壳体内部，具有同平面设置且面向所述真空槽内的多个线圈；

电源，连接所述射频能源辐射单元，提供高频电力至所述多个线圈；

第一磁体，环设在所述多个线圈的外围部位，所述第一磁体配置位置与所述多个线圈并行，在沿所述多个线圈面所延伸的延伸区域，所述第一磁体至少部分位于所述延伸区域内。

可选地，所述射频能源辐射单元包括所述多个线圈与盘体，所述线圈平面设置在所述盘体，所述盘体卡掣在所述壳体的内部，所述射频能源辐射单元以线圈的扁平面朝向所述真空槽内部方向配置，所述第一磁体位于所述多个线圈外围而配置于所述盘体。

可选地，所述射频能源辐射单元包括所述多个线圈与盘体，所述线圈平面设置在所述盘体，所述盘体卡掣在所述壳体的内部，所述射频能源辐射单元以线圈的扁平面朝向所述真空槽内部方向配置，所述第一磁体配置于所述壳体的内表面与所述壳体朝向所述真空槽的端面中至少一者。

可选地，所述壳体与所述盘体中至少一者具有环设凹槽，所述第一磁体固设在所述凹槽。

可选地，所述第一磁体与所述凹槽之间在形状上形成紧配或部分紧配关系。

可选地，所述凹槽内具有内侧嵌孔，所述第一磁体置入所述凹槽且滑入所述内侧嵌孔形成紧配或卡掣关系。

可选地，所述第一磁体配置于所述凹槽，所述凹槽与所述第一磁体接触的部位具有形状相对应的卡掣结构、勾合结构或扣合结构。

可选地，所述第一磁体连续或间隔的设置。

可选地，相邻的两个所述线圈之间存在间隙，所述第一磁体配置在所述两个线圈之间的间隙。

可选地，所述多个线圈区别为多个线圈组，相邻的两个线圈组之间存在间隙，所述第一磁体配置在所述两个线圈组之间的间隙。

可选地，所述等离子体源机构还包括第二磁体，所述第二磁体环设在所述多个线圈的外围部位，所述第二磁体与所述第一磁体之间间隔所述线圈，所述第二磁体至少部分位于延伸区域内；或者，

所述等离子体源机构还包括第二磁体，所述第二磁体环设在所述多个线圈的外围部位，所述第二磁体至少部分位于延伸区域内，所述第二磁体面向所述线圈的方向与所述第一磁体面向所述线圈方向呈夹角。