[实用新型]一种半导体晶圆激光切割防静电装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体晶圆激光切割防静电装置，属于激光切割领域，首先将插块插入晶元片的下端，使晶元片与切割膜之间通过插块进行局部分离，再向下按压压杆，压杆通过第一弹簧配合第一限位块和第二限位块带动L形夹持块进行下压，配合插块的上端对晶元片进行夹持，在压杆带动磁吸组件的过程中，首先将挤出套筒内部的空气，空气通过软导管进入出气空腔，同时吹动导电丝向外界进行扩散，使导电丝附着在晶元片的底部，对晶元片上所带的静电进行引导，可以实现能够提高晶元片的剥离品质，提高晶元片的成品质量，能够对晶元片上的静电进行引导，防止晶元片因静电造成损坏。

技术领域

本实用新型涉及激光切割领域，更具体地说，涉及一种半导体晶圆激光切割防静电装置。

背景技术

激光切割是一种使用激光切割材料的技术，通常用于工业制造应用，但也开始被学校、小企业和业余爱好者使用，激光切割的工作原理一般是通过光学器件引导高功率激光输出，激光光学系统和数控系统用于引导材料或引导产生的激光束，一个用于切割材料的商用激光器包括运动控制系统，用以跟踪要切割的轨迹对应的数控指令或G代码，激光束被聚焦后对准材料，然后材料熔化、燃烧、蒸发或被气体射流吹走，留下具有高质量表面光洁度的边缘，工业激光切割机一般用于切割平板材料以及结构和管道材料，晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。

在晶圆进行激光切割的过程中，要事先在晶圆的表面贴附一侧切割膜，当晶圆切割完毕后，需要将个体的晶元片从切割膜上逐一进行剥离，一些现有的剥离工艺徒手将晶元片进行剥离，容易对晶元片造成损坏，且在晶元片与切割膜剥离的过程中，晶元片的地面容易产生静电，影响晶元片的成品质量。

实用新型内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种半导体晶圆激光切割防静电装置，首先将插块插入晶元片的下端，使晶元片与切割膜之间通过插块进行局部分离，再向下按压压杆，压杆通过第一弹簧配合第一限位块和第二限位块带动L形夹持块进行下压，配合插块的上端对晶元片进行夹持，对晶元片夹持完毕后，配合第一弹簧，压杆还能持续进行按压，压杆在向下进行按压的过程中，带动磁吸组件在套筒的内部向下进行滑动，磁吸组件内的收纳框因滑动摩擦，产生热量，其热量使得热膨胀橡胶发生膨胀，从而使得闭合通孔进行扩张，空气通过扩张的闭合通孔进入收纳框的内部，进入收纳框内部的空气通过透气膜与碰撞球内部的还原性铁粉发生反应，使得还原性铁粉产生磁性，配合压杆带动磁吸组件的持续下压，磁吸组件与金属块的间距不断缩小，最终磁吸组件对金属块进行吸附提拉，从而带动压块的外端向下进行转动，向下转动的压块，使得切割膜不断与晶元片发生分离，最终使晶元片完全与切割膜之间进行分离，提高晶元片的剥离效率以及剥离的质量，同时，在压杆带动磁吸组件的过程中，首先将挤出套筒内部的空气，空气通过软导管进入出气空腔，同时吹动导电丝向外界进行扩散，使导电丝附着在晶元片的底部，对晶元片上所带的静电进行引导，可以实现能够提高晶元片的剥离品质，提高晶元片的成品质量，能够对晶元片上的静电进行引导，防止晶元片因静电造成损坏。

2.技术方案

为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。