[实用新型]一种DDR扩容布局结构以及电子终端有效
| 申请号： | 202221344875.X | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN217544164U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 方志刚;张璇;谢烈枚 | 申请（专利权）人： | 南昌逸勤科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G06F15/78;G11C11/401 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 秦晓君 |
| 地址： | 330224 江西省南昌市南昌高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ddr 扩容 布局 结构 以及 电子 终端 | ||
1.一种DDR扩容布局结构，其特征在于，包括系统级芯片SOC以及DDR转接电路板；
所述DDR转接电路板电连接于所述系统级芯片SOC上，所述DDR转接电路板上电连接有至少两个双倍速率同步动态随机存储器DDR。
2.根据权利要求1所述的DDR扩容布局结构，其特征在于，所述系统级芯片SOC上具有用于与DDR转接电路板电连接的第一连接端，所述DDR转接电路板电连接于所述第一连接端上。
3.根据权利要求2所述的DDR扩容布局结构，其特征在于，所述DDR转接电路板上具有至少两个用于与双倍速率同步动态随机存储器DDR电连接的第二连接端；
每个所述第二连接端上电连接有所述双倍速率同步动态随机存储器DDR。
4.根据权利要求3所述的DDR扩容布局结构，其特征在于，至少两个所述第二连接端相隔预设距离分布于所述DDR转接电路板上。
5.根据权利要求1所述的DDR扩容布局结构，其特征在于，包括用于承载所述系统级芯片SOC的控制电路板；
所述系统级芯片SOC电连接于所述控制电路板上。
6.根据权利要求5所述的DDR扩容布局结构，其特征在于，所述控制电路板上还电连接有多个阻容感元器件。
7.根据权利要求6所述的DDR扩容布局结构，其特征在于，所述阻容感元器件包括电阻、电容以及电感。
8.一种电子终端，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的DDR扩容布局结构。
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