[实用新型]一种再生晶圆半导体加工装置有效
| 申请号: | 202221199204.9 | 申请日: | 2022-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN217344074U | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
| 发明(设计)人: | 王永净;陈基生 | 申请(专利权)人: | 厦门华芯晶圆半导体有限公司 |
| 主分类号: | B23K26/70 | 分类号: | B23K26/70;B23K26/38;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京子焱知识产权代理事务所(普通合伙) 11932 | 代理人: | 胡强 |
| 地址: | 361021 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 再生 半导体 加工 装置 | ||
本实用新型提供了一种再生晶圆半导体加工装置,包括:驱动电机,位于加工机体上端,所述驱动电机通过固定架与加工机体上表面相固定;上限位槽板,位于加工机体腔室内部,所述上限位槽板左右端固定有驱动块;下限位槽板,位于加工机体腔室下端内壁表面,所述下限位槽板下端通过真空管道与真空吸附机相连接;下压板,位于上限位槽板下端,所述下压板通过电动推杆与上限位槽板相固定。本实用新型解决了再生晶圆的激光切割加工的装置较为简单,无法稳定牢固的夹持所需切割的硅晶棒,导致再生晶圆厚度产生偏差,影响再生晶圆半导体加工装置的生产质量的问题。
技术领域
本实用新型涉及反光机构领域,具体涉及一种再生晶圆半导体加工装置。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,再生晶圆是由硅晶棒经过切割、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后制作而成,但再生晶圆的激光切割加工的装置较为简单,无法稳定牢固的夹持所需切割的硅晶棒,导致再生晶圆厚度产生偏差,影响再生晶圆半导体加工装置的生产质量的问题。
实用新型内容
为克服现有技术所存在的缺陷,现提供一种再生晶圆半导体加工装置,以解决在再生晶圆的激光切割加工的装置较为简单,无法稳定牢固的夹持所需切割的硅晶棒,导致再生晶圆厚度产生偏差,影响再生晶圆半导体加工装置的生产质量的问题。
为实现上述目的,提供一种再生晶圆半导体加工装置,包括:
驱动电机,位于加工机体上端,所述驱动电机通过固定架与加工机体上表面相固定;
上限位槽板,位于加工机体腔室内部,所述上限位槽板左右端固定有驱动块;
下限位槽板,位于加工机体腔室下端内壁表面,所述下限位槽板下端通过真空管道与真空吸附机相连接;
下压板,位于上限位槽板下端,所述下压板通过电动推杆与上限位槽板相固定。
进一步的,所述加工机体前端铰接有门体,所述门体通过扣锁与加工机体相固定,所述真空吸附机左侧固定有控制器。
进一步的,所述加工机体右端固定有控制面板,所述控制面板上端固定有提示器,所述上限位槽板下端表面安装有高度传感器。
进一步的,所述驱动块内侧均连接有丝杆,所述丝杆上端连接有转动轴;且左侧丝杆上端的转动轴上端连接有驱动电机,所述加工机体后端内壁安装有电动导轨。
进一步的,所述转动轴表面固定有传送轮;且传送轮之间连接有传动皮带,所述电动导轨前端连接有激光切割器,所述激光切割器左端固定有控制端。
进一步的,所述下限位槽板通过调节柱连接有两组限位弧块;且两组限位弧块位于下限位槽板槽内左右侧,所述下限位槽板槽表面设置有吸附孔。
进一步的,所述下限位槽板槽壁通过第一压缩弹簧连接有压紧块,所述限位弧块和压紧块构成下限位槽板环形夹持压紧结构。
进一步的,所述下压板通过第二压缩弹簧连接有挤压板,所述挤压板下端表面嵌入安装有接触式感应器。
本实用新型的有益效果在于,本实用新型的再生晶圆半导体加工装置利用上限位槽板和下限位槽板对硅晶棒进行上下压紧夹持,通过下限位槽板槽内限位弧块和压紧块,对硅晶棒外侧进行压紧,同时通过真空吸附机对硅晶棒下端进行真空吸附,便于硅晶棒下端稳定的压紧、吸附在下限位槽板内,通过驱动电机带动上限位槽板进行上下移动,便于调节上限位槽板和下限位槽板的间距,方便对长短不一的硅晶棒进行夹持固定,通过推动下压板,使第二压缩弹簧将挤压板挤压在硅晶棒上端表面,便于稳定牢固压紧夹持硅晶棒,避免激光束切割时发生偏移,从而减少激光切割的误差,解决了影响再生晶圆半导体加工装置的生产质量的问题。
附图说明
图1为本实用新型实施例的再生晶圆半导体加工装置正视结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门华芯晶圆半导体有限公司,未经厦门华芯晶圆半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221199204.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





