[实用新型]SiC MOSFET的保护电路

权利要求书

1.一种SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，包括：

输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；

输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大，并输出至所述SiC MOSFET；

短路检测模块，与所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiC MOSFET的漏极电连接，并被配置为接收所述控制信号并获得参考电压信号，同时获取所述SiC MOSFET的漏源电压信号，且基于所述漏源电压信号和所述参考电压信号向所述输出侧逻辑控制模块输出检测结果信号。

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述短路检测模块包括：

比较器，包括第一输入端、第二输入端及输出端，其中所述输出端电连接所述输出侧逻辑控制模块；

漏源电压信号源电路，电连接所述第一输入端；

参考电压信号源电路，电连接所述第二输入端。

3.根据权利要求2所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述漏源电压信号源电路包括：

第五电阻，所述第五电阻的第一端电连接所述SiC MOSFET的漏极，所述第五电阻两端还电连接有第二电容；

第六电阻，所述第六电阻的第一端电连接所述第五电阻的第二端，所述第六电阻的两端还电连接有第三电容；

第七电阻，所述第七电阻的第一端电连接所述第六电阻的第二端，第二端电连接所述第一输入端，且所述第七电阻的两端还电连接有第四电容；

第八电阻，所述第八电阻的第一端电连接所述第一输入端，且所述第八电阻的第二端接输出侧地，所述第八电阻两端还电连接有第五电容。

4.根据权利要求2所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述参考电压信号源电路包括：

第三MOS管，所述第三MOS管的栅极电连接所述输出侧逻辑控制模块，源极接输出侧地，且所述第三MOS管受控于所述控制信号；

第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阳极电连接所述第三MOS管的漏极；

第九电阻，所述第九电阻的第一端电连接所述第一稳压二极管的阴极，第二端电连接所述第二输入端；

第六电容，所述第六电容的第一端电连接所述第二输入端，第二端接输出侧地；

第十电阻，所述第十电阻的第一端电连接直流正压，第二端电连接所述第二输入端。

5.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：辅助检测模块，位于所述SiC MOSFET的开尔文引脚和源极引脚之间，用于检测所述SiCMOSFET的电流变化率。

6.根据权利要求5所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述辅助检测模块包括：

第二二极管，所述第二二极管的阳极接输出侧地；

第十一电阻，所述第十一电阻的第一端电连接所述第二二极管的阴极，第二端电连接所述SiC MOSFET的源极；

第十二电阻，所述第十二电阻的第一端电连接所述第二二极管的阴极；

第七电容，所述第七电容的第一端电连接所述第十二电阻的第二端，第二端电连接所述SiC MOSFET的源极；

变压器，所述变压器的原边电连接所述第七电容的两端，副边一端电连接所述输出侧逻辑控制模块，且另一端接输出侧地。

7.根据权利要求1所述的SiC MOSFET的保护电路，其特征在于，所述输出级功率放大电路包括PMOS管和NMOS管构成的推挽式驱动电路，或者包括NPN和PNP三极管构成的推挽式驱动电路。