[实用新型]一种碳化硅晶体生长的热场结构有效
| 申请号： | 202221178574.4 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN217351623U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 练小正;许照原 | 申请（专利权）人： | 苏州燎塬半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215613 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 结构 | ||
1.一种碳化硅晶体生长的热场结构，其特征在于：包括坩埚（1）、坩埚凸台（2）、原料（3）、坩埚盖（4）、加热器（5）、加热器凸台（6）、上反射器（7）、石墨保温结构（8）、石墨杆（9）、石墨籽晶托（10）、碳化硅籽晶（11）、坩埚托（12）以及感应线圈（13）；其中，坩埚（1）为圆筒状，上端开口，下端封闭，盛装有原料（3），坩埚（1）的上端设置有坩埚凸台（2），坩埚（1）与坩埚凸台（2）一体成型；坩埚盖（4）为圆形，中心开圆孔，坩埚盖（4）放置在坩埚凸台（2）上，坩埚盖（4）的外径略小于坩埚凸台（2）的内径；加热器（5）为圆筒状，环绕于坩埚（1）的外侧，加热器（5）的下底面设置有圆孔，加热器（5）的上端设置有加热器凸台（6），加热器凸台（6）与加热器（5）一体成型；上反射器（7）为圆形，中心开圆孔，上反射器（7）放置在加热器凸台（6）上，上反射器（7）的外径略小于加热器凸台（6）的内径；石墨保温材料（8）设置在加热器（5）的外侧，将加热器（5）包围；坩埚托（12）支撑坩埚（1）并且带动其转动；石墨杆（9）带动碳化硅籽晶（11）旋转和上下移动；所述坩埚（1）、坩埚凸台（2）、坩埚盖（4）、坩埚托（12）的材料为石墨；所述加热器（5）、加热器凸台（6）、上反射器（7）的材料为金属。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的热场结构，其特征在于，所述石墨杆（9）为圆柱形，一端设置有外螺纹；所述石墨籽晶托（10）为圆柱形，一端设置有内螺纹；石墨杆（9）底面的直径小于石墨籽晶托（10）底面的直径；石墨杆（9）与石墨籽晶托（10）之间螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的热场结构，其特征在于，碳化硅籽晶（11）与石墨籽晶托（10）之间采用粘结剂进行粘结。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的热场结构，其特征在于，所述加热器（5）、加热器凸台（6）、上反射器（7）的材料为钨或者钼或者铼中的一种或几种。
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