[实用新型]具有激励线圈的电子装置

权利要求书

1.一种具有激励线圈的电子装置，其特征在于，包括具有容纳空间的壳体、以及布置在所述容纳空间内的电源模块、执行模块和激活模块；所述电源模块具有第一电极和第二电极，所述执行模块耦接在所述第一电极和所述第二电极之间，所述激活模块包括第一场效应管和激励线圈，所述第一场效应管具有漏极、源极和栅极且所述第一场效应管的漏极和源极分别耦接于所述第一电极和所述执行模块，所述激励线圈具有耦合到所述第一场效应管的源极和栅极的电流路径。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述激活模块还包括第二场效应管，所述第二场效应管具有栅极、源极和漏极，所述第二场效应管的源极和栅极耦合到所述激励线圈两端，所述第二场效应管的漏极和源极分别耦接于所述第一电极和所述第二电极，并且所述第二场效应管的漏极耦接到所述第一场效应管的栅极。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述激活模块还包括耦接在所述第二场效应管和所述第一电极之间的保护电阻。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，还包括自锁单元，所述自锁单元具有耦合到所述第二电极和所述第一场效应管的电流路径，所述自锁单元包括第二电阻，所述第二电阻的两端分别耦接于所述第二场效应管的栅极和源极。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述自锁单元还包括第一电阻，所述第一电阻耦接于所述第一场效应管与所述第二电阻之间。

6.根据权利要求4或5所述的电子装置，其特征在于，所述激活模块还包括二极管。

7.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一场效应管为P沟道绝缘栅型场效应管，所述第二场效应管为N沟道绝缘栅型场效应管。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述激励线圈设置在所述壳体的一端，并且基于变化的磁场生成感应电压。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，当所述激励线圈产生的感应电压大于预设电压时，所述第一场效应管的漏极和源极被导通。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述壳体呈胶囊状，所述执行模块包括用于图像数据采集的图像采集单元、以及用于感测姿态数据的姿态传感器。