[实用新型]一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器

权利要求书

1.一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器，其特征在于，包括氢气传感器芯片的主材料硅芯片(1)，镀于所述硅芯片(1)上的氮化硅薄膜(3)，设置于所述氮化硅薄膜(3)下方的通孔(2)，设置于所述氮化硅薄膜(3)上的电极R1、电极R2，以及设置于所述硅芯片(1)上的电极R3。

2.根据权利要求1所述的一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器，其特征在于，所述硅芯片(1)的大小为10×10mm，厚度为0.5mm。

3.根据权利要求2所述的一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器，其特征在于，所述氮化硅薄膜(3)的大小为3×3mm，厚度为1.5μm。

4.根据权利要求3所述的一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器，其特征在于，所述通孔(2)开设于所述硅芯片(1)上，且大小为2.8×2.8mm。

5.根据权利要求4所述的一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器，其特征在于，所述电极R1、电极R2、电极R3的电极材料均为纯度大于99.9％的Ni，且电极R1、电极R2、电极R3的电极宽度均为0.05mm，厚度均为1μm。

6.根据权利要求5所述的一种基于MEMS技术的宽量程氢气传感器，其特征在于，所述电极R1、电极R2、电极R3分别通过金线连接到硅芯片(1)对应的电极上；且所述电极R1、电极R2为并排结构。