[实用新型]一种新型光伏组件有效
申请号: | 202221013844.6 | 申请日: | 2022-04-28 |
公开(公告)号: | CN217485462U | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 缪欣荣;吴韦;徐红 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 文智霞;朱黎光 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 组件 | ||
本实用新型涉及光伏组件技术领域,公开了一种新型光伏组件,包括电池串,电池串包括隐形胶带、焊带和电池片;隐形胶带包括粘结层和粘接于粘结层一侧面的承载层;粘结层的另一侧面的中部粘结焊带、且端部粘结于电池片的非主栅区域,以使焊带压接至电池片的主栅区域;粘结层为EVA粘结层或POE粘结层。该新型光伏组件,通过隐形胶带即能实现焊带与电池片主栅区域的低温焊接,避免因高温红外焊接带来的电池片缺陷,提高焊接良率,提高产品合格率;且由于该隐形胶带为固定态,所以焊接后无需预留等待时间,能缩短焊接周期,提高焊接效率,提高光伏组件的生产效率;焊接时,该固定态的隐形胶带可通过转轴牵引、定位来实现焊带与栅线的精准焊接。
技术领域
本实用新型涉及光伏组件技术领域,具体涉及一种新型光伏组件。
背景技术
在现有光伏组件中,常规的焊接方式为红外焊接,这是一种非接触式的高温焊接方法,通过选择适当波长的红外线对焊点进行辐射加热来完成电池片的栅线与焊带之间的高温焊接工作。由于红外焊接存在焦距调整不准确,受热面积过高过宽,易导致虚焊、过焊、甚至焊裂片或者隐裂,使电池片产生应力,这些是红外焊接的通病。
目前的光伏市场中,主流的硅片厚度为170μm,理论上硅片即使厚度降至80μm,对电池片的效率影响也不大,还能有效降低硅片的投入,因此,目前光伏电池正逐渐尝试向薄片化方向演进,这也是未来光伏电池的发展趋势之一。然而,硅片越薄电池片的碎片率越高,对电池片的韧度要求也越高,切割电池片时损耗也增加。而随着光伏电池薄片化趋势的发展,红外焊接由于存在易导致虚焊、过焊、甚至焊裂片或者隐裂,使电池片产生应力的通病,所以,红外焊接并不适用薄片化光伏电池。
现有技术中,如公开号CN105097068B提供了一种导电胶,采用低温固化的导电胶将焊带与电池接触点部分有效粘连,该导电胶固化温度较低,产生热应力较小,能实现低温焊接,从而有效降低了电池片弯曲、隐裂和破碎的比例。然而,这种导电胶为流动态,需先在焊带的焊点上铺设导电胶,将电池片放于导电胶上,使电池片的主栅区域与导电胶接触,再加热导电胶,使铺设的流动态的导电胶固化成型。因此,这种导电胶存在以下缺陷:在固化成型之前,这种流动态的导电胶容易向周边扩散,导致焊带与电池片的主栅区域之间仍然无法实现精准焊接,影响光伏组件的品质;而且,流动态的导电胶需加热固化后方能成型,因此,铺设导电胶后,还需额外预留导电胶固化成型的等待时间,这会延长光伏电池的焊接周期,降低焊接效率,进而降低光伏组件的生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种新型光伏组件,以提高其焊接良率,缩短焊接周期,实现精准焊接,进而提高光伏组件的品质。
基于此,本实用新型公开了一种新型光伏组件,包括电池串,所述电池串包括隐形胶带、焊带和电池片;所述隐形胶带包括粘结层和粘接于粘结层一侧面的承载层;所述粘结层的另一侧面的中部粘结所述焊带、且端部粘结于所述电池片的非主栅区域,以使焊带压接至电池片的主栅区域;所述粘结层为EVA粘结层或POE粘结层。
优选地,所述隐形胶带开设有多个贯穿粘结层和承载层的排气通孔。
进一步优选地,多个所述排气通孔等间距排布于隐形胶带的中间位置。
进一步优选地,所述排气通孔的孔径为1-3mm。
优选地,所述隐形胶带的厚度为5μm-500μm;所述承载层优选为PET层。
优选地,所述隐形胶带的形状为十字形、剪刀型、Y字型、米字形或圆环形。
优选地,所述焊带为圆丝焊带、扁平焊带或三角焊带。
优选地,所述电池片的厚度为80μm-160μm,主栅数目为9-22栅。
优选地,一种新型光伏组件,还包括依次叠设于电池串前表面的第一胶膜和前板,以及依次叠设于电池串后表面的第二胶膜和背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的